不銹鋼發生晶間腐蝕機理是什麼

A. 18—8不銹鋼產生晶間腐蝕的原因和阻止方法

18-8不銹鋼產生晶間腐蝕的原因和阻止方法：
晶間腐蝕出現於某些特殊的合金中，通常當它們在焊接或熱處理期間加熱到其敏感溫度區時即可能會發生晶間腐蝕。
晶粒間界是結晶學取向不同的晶粒間紊亂錯合的界城，因而，它們是鋼中各種溶質元素偏析或金屬化合物（如碳化物和δ相）沉澱析出的有利區城。當諸如某些不銹鋼合金加熱到425-870℃，鉻的碳化物即會在晶粒邊界析出。導致碳化物附近出現貧鉻區同時影響晶界區的鈍化性。
在特殊介質中，如硝酸或高溫水中，可能出現低鉻區的溶蝕現象。晶粒是以一種砂糖似的表面出現的。當用一取樣器擦過時，它們很容易被擦掉。不銹鋼和鎳合金的晶間腐蝕可以通過採用低碳合金、加入碳化物形成元素如鈦或鈮，或利用穩定化退火來使之避免。晶間腐蝕是一種有選擇性的腐蝕破壞，它與一般選擇性腐蝕不同之處在於，腐蝕的局部性是顯微尺度的，而宏觀上不一定是局部的。晶界上優先腐蝕，雖然外觀上保持著金屬光澤，但晶粒間漸漸失去聯系以致晶粒脫落。
晶間腐蝕的影響因素：金屬的化學成分和金相組織。含碳量愈高，愈易產生晶間腐蝕。鐵素體的存在可以防止晶間腐蝕，但晶粒度過大則會加速晶間腐蝕。焊前鋼材的受熱情況，若鋼材受過550～850℃的預熱，則易發生晶間腐蝕。焊接、使用過程中存在應力。在中等氧化性環境中易產生晶間腐蝕。

為此，應選用穩定性好的低碳不銹鋼，極低含碳量和較高鈦、鈮、鉭、鋯含量的焊接材料，但該種焊縫強度低且易產生熱裂。

B. 鐵素體不銹鋼晶間腐蝕的主要原因是什麼

由於晶界碳化鉻沉澱引起的貧鉻機理，也是鐵素體不銹鋼晶間腐蝕的主要原因，而其他的一些看法也主要是與碳化物在晶界的沉澱有關。因此，在工業上行之有效的措施與防止奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的辦法相似，也是三個方面:
(1)把碳含量和氮含量降到很低的含量，例如小於0.005%C，小於0.015% N;
(2)在700 -- 8001短時間回火;
(3)加人足夠的欽固定鋼中的碳和氮。
冶金廠生產Cr17鋼時，冷軋前有時加熱到9000C，隨後在HNC0 -HF酸洗時發生晶間腐蝕。文獻提出了消除這種敏化態的熱處理制度，可供參考。

C. 不銹鋼晶間腐蝕的機理是什麼

珠光體中有電極電位不同的兩個相：鐵素體及滲碳體,在酸液中,鐵素體相的電極電位較負,成為明極而被腐蝕；滲碳體相的電極電位較正,成為陰極而不被腐蝕.鋼中加入一定量的合金元素銘,就會使電極電位堤高,比如在鐵中加入大於13%的鉻後,則鐵的電極電位由-0.56伏升高至0.2伏,因此抗蝕性能顯著提高.

D. 何謂晶間腐蝕簡述其產生的原因和防止措施

不銹鋼耐腐蝕的根本原因是它含有鉻、鎳等提高金屬電極的元素，鉻是碳化物形成元素，當鋼中的碳與周圍的的鉻形成Cr23C6這類鉻的碳化物並沿晶界析出時，就會造成碳化物的周圍局部貧鉻。當鉻的含碳量降到不銹鋼耐腐蝕所需的的最低含量以下就產生晶間腐蝕。即「晶間貧鉻理論」
在腐蝕介質作用下,晶體內部雖僅呈微弱腐蝕，工件表面也看不出有什麼明顯的損壞，但晶界卻迅速被溶解，並不斷深入，完全破壞了晶粒之間的聯系，即產生「晶間腐蝕」。產生晶間腐蝕原因，主要是奧氏體晶界處產生「貧鉻」現象所致，焊接時工件被加熱，碳和鉻都會從奧氏體晶粒內部向晶界擴散，並在晶界上生成碳化鉻（一般為Cr4C）致使晶界產生「貧鉻」現象，當晶界上鉻的含量下降到13%以下時，就失去了防腐作用，在腐蝕介質作用下晶界會被迅速腐蝕，即「晶界腐蝕」
防止晶界腐蝕的措施有：1
調整焊縫的化學成份，加入穩定化元素減少形成碳化鉻的可能性，如加入鈦或鈮等。2
減少焊縫中的含碳量，可以減少和避免形成鉻的碳化物，從而降低形成晶界腐蝕的傾向，含碳量在0。04%以下，稱為「超低碳」不銹鋼，就可以避免鉻的碳化物生成。3工藝措施，控制在危險溫度區的停留時間，防止過熱，快焊快冷，使碳來不及析出[
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E. 請用貧鉻理論解釋奧氏體不銹鋼發生晶間腐蝕的機理

晶間腐蝕可以由於敏化處理或磷，硅在晶粒邊界的偏聚造成的。
你說的情況應該是將奧氏體不銹鋼又重新加熱到敏化溫度（450℃～850℃），原來敏化生成的不穩定碳化物cr23c6又分解，融入到奧氏體中。
1.
固溶處理：將奧氏體不銹鋼加熱到一定溫度（通常為1020℃～1100℃），保溫一定時間後，待奧氏體不銹鋼中的金屬間相、碳化物全部溶入鋼中時，快速冷卻至室溫。這一熱處理工藝稱之為固溶處理（其實相當於奧氏體不銹鋼的淬火處理，只不過奧氏體不銹鋼的淬火處理不能提高自身強度、硬度而已）。經過固溶處理後，其組織為單一的奧氏體不銹鋼，不含金屬間相、碳化物（cr23c6等），因此其抗晶間腐蝕性能得到很大的提高。
2.
敏化處理：奧氏體不銹鋼從高溫快速冷卻至室溫後，碳以過飽和的形式固溶在奧氏體不銹鋼中。但是在適當溫度加熱（450℃～850℃）或者經過焊接後，碳就會以cr23c6的形式在奧氏體不銹鋼的晶界沉澱出來。cr23c6的cr含量很高，因而晶界附近的cr大部分被集中到cr23c6中，由於cr的原子半徑大，擴散速度慢，來不及從基體向晶界補充cr。因而造成晶界貧cr（一般指低於12％時），從而造成晶間腐蝕。這也是敏化處理的原理。
3.
穩定化處理：穩定化處理通常為固溶處理的後續處理工藝。一般針對含ti、nb的鋼種。將這種鋼再加熱到850℃～900℃保溫一定時間，在該溫度下cr23c6幾乎全部溶解，而tic、nbc只是部分溶解。而後緩冷，在冷卻過程中鋼中的c充分地ti、nb等結合，而析出tic、nbc，而不析出cr23c6。從而提高抗晶間腐蝕性能。
（850℃～900℃的選擇原則：這一溫度范圍在cr23c6的溶解溫度之上，tic、nbc的溶解溫度之下。在進行固溶處理之後，如果奧氏體不銹鋼鋼中的cr、ti、nb等都固溶在不銹鋼中，如果不進行穩定化處理，在敏化溫度區間，cr23c6依然會優先沉澱出來。這就是穩定化處理的必要性。）

F. 請用貧鉻理論解釋奧氏體不銹鋼發生晶間腐蝕的機理

依據貧鉻理論說明，常用的奧氏體不銹鋼，在氧化性或弱氧化性介質中之所以發生晶間腐蝕，八成是由於加工或運用時受熱不當引起的。所謂受熱不當是指鋼受熱或緩慢冷卻經過450～850 ℃溫度區，鋼就會對晶間腐蝕發生敏感性。

所以這個溫度是奧氏體不銹鋼運用的危險溫度。不銹鋼材料在出廠時現已固溶處理，所謂固溶處理就是把鋼加熱至1050～1150 ℃後進行淬火，目的是獲得均相固溶體。奧氏體鋼中含有少量碳，碳在奧氏體中的固溶度是隨溫度下降而減小的。

如0Cr18Ni9Ti，在1100 ℃時，碳的固溶度約為0.2%，在500～700℃時，約為0.02%。所以經固溶處理的鋼，碳是過飽和的。

當鋼材無論是加熱或冷卻經過450～850℃時，碳便可構成（Fe 、Cr）23C6 從奧氏體中分出而分布在晶界上。（Fe、Cr）23C6的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高許多，它的分出天然耗費了晶界附近很多的鉻，而耗費的鉻不能從晶粒中經過渙散及時得到補償。

由於鉻的渙散速度很慢，作用晶界附近的含鉻量低於鈍化有必要的的定量（即12 %Cr），構成貧鉻區，因而鈍態受到破壞，晶界附近區域電位下降，而晶粒本身仍堅持鈍態，電位較高，晶粒與晶界構成活態———鈍態微電偶電池，電池具有大陰極、小陽極的面積比，這樣就導致晶界區的腐蝕。

(6)不銹鋼發生晶間腐蝕機理是什麼擴展閱讀：

預防措施

1 、調整焊縫的化學成份，加入穩定化元素減少形成碳化鉻的可能性，如加入鈦或鈮等。

2 、減少焊縫中的含碳量，可以減少和避免形成鉻的碳化物，從而降低形成晶界腐蝕的傾向，含碳量在0．04%以下，稱為「超低碳」不銹鋼，就可以避免鉻的碳化物生成。

3、控制在危險溫度區的停留時間，防止過熱，快焊快冷，使碳來不及析出。

G. 鐵素體不銹鋼晶間腐蝕的主要原因是什麼

鐵素體不銹鋼晶間腐蝕的特點：1.鐵素體不銹鋼從約925℃以上急速冷卻(變為敏化態)，易發火晶間腐蝕，另外，從冷卻速度的影響來看，以空冷後的晶間腐蝕傾向最大；2.焊後的普通鐵素體不銹鋼產生晶間腐蝕的位置是在焊接接頭的緊鄰熔合線處；3.對於已處於晶間腐蝕敏感狀態的鐵素體不銹鋼，一般經由大約700一800℃短時間回火處理便可減少或消除晶間腐蝕傾向；4.即使碳含量降低至超低碳鋼級(0.03％c)以下，仍不足以避免晶間腐蝕傾向，而須要更高的純度。與奧氏體比較起來不同之處：1.敏化溫度不同2.產生的含碳量不同3.焊後產生晶間腐蝕的位置不同4.消除晶間腐蝕的熱處理溫度不同

H. 奧氏體不銹鋼壓力容器晶間腐蝕的原因是什麼

不銹鋼主要的原因
有一些
下面不是全部
使用溫度過高
在500-800度之間為不銹鋼的敏化范圍
容易發生晶間腐蝕.
另外在一些腐蝕介質的影響下
沿焊縫線
熱影響區容易產生晶間腐蝕。主要原因是在不同條件下
C和Cr的形成化合物
破壞了不銹鋼的耐腐蝕性

I. 不銹鋼晶間腐蝕的機理是什麼

珠光體中有電極電位不同的兩個相：鐵素體及滲碳體，在酸液中，鐵素體相的電極電位較內負，成為明極而被腐蝕；容滲碳體相的電極電位較正，成為陰極而不被腐蝕。鋼中加入一定量的合金元素銘，就會使電極電位堤高，比如在鐵中加入大於13%的鉻後，則鐵的電極電位由-0.56伏升高至0.2伏，因此抗蝕性能顯著提高。

J. 為什麼經受焊接的奧氏體不銹鋼有晶間腐蝕,而不焊接的不銹鋼

自上世紀二十年代工業界採用奧氏體不銹鋼以來，發現這類鋼焊接後，溫度為450℃～800℃的熱影響區在許多介質中產生晶間腐蝕。這些介質主要是熱的濃度為50%～65%的硝酸，含銅鹽和氧化鐵的硫酸溶液、熱有機酸等。後來發現這類鋼在450℃～800℃工作，或在該溫度下進行時效處理（或保溫或緩慢冷卻）時，也會得到由於焊接加熱的同樣效果。這種時效處理會導致不銹鋼晶間腐蝕的敏感性，所以又稱敏化處理。而把容易引起晶間腐蝕的溫度區間450℃～800℃稱為敏化溫度。
近年來的研究證明，這種腐蝕形式不僅在鉻鋼、鉻鎳鋼中存在，而且在鎳、銅、鋁基合金中也存在。晶間腐蝕產生的原因是晶界和晶內的化學成分不均勻性。
在不銹鋼和鎳基合金中，晶間腐蝕的機制可以分為三種基本類型：一是腐蝕與保證材料在該介質中耐蝕的元素沿晶界區貧化有關；二是腐蝕與沿晶界析出物的化學穩定性有關；三是腐蝕由降低基體耐蝕性的表面活性元素沿晶界偏析所引起。
奧氏體不銹鋼晶間腐蝕主要是在敏化溫度區間內容易導致沿晶界析出連續網狀富鉻的(Cr,Fe)23C6。從而使晶界周圍基體產生貧鉻區，貧鉻區的寬度約為10-5cm。在析出(Cr,Fe)23C6時間不太長的時間內，由於鉻的擴散速度較慢，貧鉻區得不到恢復。貧鉻區的產生使得晶界附近的鉻含量被降低到n/8量限度以下，因而貧鉻區成為微陽極而發生腐蝕。若在敏化溫度范圍內長期加熱，則可通過鉻的擴散消除貧鉻區，晶間腐蝕傾向可以被消除。