曝光機設備做什麼的

① 光刻機 是干什麼用的 重要嗎 能國產嗎

在現在的各種各樣的電子產品中，晶元可以說是最重要的零件，而光刻機就是晶元製造的核心設備之一。

按照用途可以分為好幾種，用於生產晶元；用於封裝；用於LED製造領域。

用於生產晶元的光刻機是中國在半導體設備製造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。

② 散光曝光機和平行光曝光機的區別

曝光機設備專門用於FILM黃光製程而設計製作的專用設備，系統採用進口平行光源、雙工位抽屜進出曝光平台交替工作進行FILM濕膜、干膜曝光。雙工位平台真空吸附將FILM與MASK貼緊，曝光 解析度20UM。
二、設備規格以及主要技術指標
◆產品規格:曝光面積400MM x 500MM
曝光平檯面積> 500MM x 600MM
◆電源: AC380V 3f 50HZ 7KVA
◆機台外尺寸: W1350MM x L3250MM x H2350MM
◆曝光方式:單面曝光玻璃VS玻璃x 2組，採用電磁鎖控制
◆曝光燈管: 5KW x 1PCS(平行光曝光燈)曝光光強> 20MW/Cm，燈管保用800H
◆光學系統:採用進口曲面MIRROR反射光學系統
◆曝光均勻度: > 90
◆冷 卻系統:燈管:外部冰水冷 卻內循環水.檯面:強制氣冷式
◆曝光控制:智慧型人機界面及曝光能 量控制(能 量模式及時間模式)
◆曝光機設備真空系統: 400MMHG以上
◆冷水系統:冰水7-12C流量60L /MIN,進出水管徑1」

◆燈源: UV能 量積分器進行曝光能 量設置和控制主動風冷式降溫保護
(有緊急停止保護)
◆空壓系統: 4-7KF/CM2,中12MM, 200L /MIN
◆平行半形: DA<2。
◆曝光精度:線路寬30UM，線間距30UM
◆曝光能 量設置: 365NM
◆點燈計時:配置時間計時器，可清零
◆平台平面精度: 0.02MM內
◆平台真空:平台真空將FILM與MASK貼緊(使用鉻版時可不用）
◆平台進出曝光區:上下框架交替進出
◆機內環境: CL ASS100內
◆檢測系統:程序及感測器檢測動作到位狀況
◆曝光機設備燈管保護:燈室過熱檢知及門打開時UV燈強制熄滅

③ 曝光機的用途

更廣范圍（UV，DUV，NUV）的紫外光波長選擇，出射光強范圍: 8mW/cm2~40mW/cm2
支持恆定光強或恆定功率模式
廣泛應用於半導體、微電子、生物器件和納米科技領。
常見曝光機舉例：MYCRO美國製造的恩科優（N&Q）紫外曝光系統，適用於從特殊大小的基片到4尺寸很寬廣范圍材料的紫外或深紫外光曝光。NXQ400-6系統成功地應用於半導體製造，光電電子，平板，射頻微波，衍射光學，微機電系統，凹凸或覆晶設備和其他要求精細印製和精度對準的應用。

④ 曝光機的介紹

紫外線曝光機是指通過開啟燈光發出UVA波長的紫外線，將膠片或其他透明體上的圖像信息轉移到塗有感光物質的表面上的設備。

⑤ FPC專用的曝光機和普通的PCB曝光機有什麼不同

1、光照強度不一樣，防焊的高10倍。
2、解析度不一樣，線路的更好，因此一般需要平行光。
3、作用都一樣，曝光干膜或者防焊油墨。
防焊是PCB印刷線路板中流程之一,保護線路板蝕刻後的線路.前置流程為外層。
PCB上的綠色或是棕色，是阻焊漆（solder mask）的顏色．這層是絕緣的防護層，可以保護銅線，也可以防止零件被焊到不正確的地方．在阻焊層上另外會印刷上一層絲網印刷面（silk screen）．通常在這上面會印上文字與符號（大多是白色的），以標示出各零件在板子上的位置．絲網印刷面也被稱作圖標面（legend）。

⑥ 散光曝光機和平行光曝光機的區別是什麼

平行曝光機的主要特點
這個類型的設備只有一個燈管，曝光檯面也是分有上下方兩個鏡子，使用的是光線折射的原理。當兩個面同時進行曝光的時候，上下燈的曝光是分開的。上等先進行曝光，一面鏡子將光線反射到檯面的上方鏡子，然後再折射到曝光檯面上。下燈曝光時，光線是直接直射到下方的鏡子里然後在折射到檯面上，因此說使用品行曝光機進行曝光的時候，上燈的能量會比下燈的能量要更大一些，曝光及級數才會一樣。
散光曝光機的主要特點
這個設備在曝光的時候燈光是直接進行照射的，就像點燈一樣，上下燈在兩面都是同時進行曝光的。

⑦ 曝光機工作原理

曝光機通過打開光線，發射紫外線波長，將圖像信息從膠片或其他透明體傳輸到塗有感光材料的表面的機器。

曝光機在印製電路板製造工藝中，最關鍵的過程之一是將負像傳遞到銅箔基板上。首先，在基板上塗覆一層感光材料（如液體感光膠、光敏防腐乾膜等）。

然後，塗布在基板上的感光材料被光照射以改變其溶解度。非感光部分的樹脂在顯影劑的作用下不聚合、溶解，感光部分的樹脂留在基底上形成圖像。這一工藝過程即是曝光，也就是印製電路板生產中由曝光機完成的工序。

(7)曝光機設備做什麼的擴展閱讀：

曝光機的特點：

1、省電節能，減低成本 - LED發光達到某種亮度時所消耗的能量只有15瓦左右，而傳統的燈管達到同樣的亮度將消耗1500瓦的能量，即使與UV鹵素燈相比，也能節約80%的能量，因此LED燈非常節能環保。

2、燈源系統保用3年， 使用壽命長 -LED燈壽命超過2萬小時。

3、更廣泛的應用范圍 - LED燈的發光不是紅外線加熱，熱釋放較低，因此不會影響那些容易受熱變形的介質（如泡沫塑料片、箔、PVC等）在印刷過程中的傳輸。這樣，媒體的應用更加廣泛。

4、反應(開關)時間快 - LED燈不需要預熱，可在啟動後立即列印，並可提高生產率。

5、高安全LED燈無紫外線輻射，無臭氧釋放，不易折斷。

6、穩定性高 - UV噴墨印刷機的印刷質量跟UV乾燥固化的過程有莫大關系，LED燈的穩定性使輸出能量可預測穩定，印刷效果也可預測穩定。

⑧ 光刻機是干什麼用的，工作原理是什麼

一、用途

光刻機是晶元製造的核心設備之一，按照用途可以分為好幾種：有用於生產晶元的光刻機；有用於封裝的光刻機；還有用於LED製造領域的投影光刻機。

用於生產晶元的光刻機是中國在半導體設備製造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口，本次廈門企業從荷蘭進口的光刻機就是用於晶元生產的設備。

二、工作原理

在加工晶元的過程中，光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後映射到矽片上，然後使用化學方法顯影，得到刻在矽片上的電路圖。

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對准曝光、後烘、顯影、硬烘、激光刻蝕等工序。經過一次光刻的晶元可以繼續塗膠、曝光。越復雜的晶元，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。

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光刻機的結構：

1、測量台、曝光台：是承載矽片的工作台。

2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。

3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。

4、能量控制器：控制最終照射到矽片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。

5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。

6、遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到矽片。

7、能量探測器：檢測光束最終入射能量是否符合曝光要求，並反饋給能量控制器進行調整。

8、掩模版：一塊在內部刻著線路設計圖的玻璃板，貴的要數十萬美元。

9、掩膜台：承載掩模版運動的設備，運動控制精度是nm級的。

10、物鏡：物鏡用來補償光學誤差，並將線路圖等比例縮小。

11、矽片：用硅晶製成的圓片。矽片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由於矽片是圓的，所以需要在矽片上剪一個缺口來確認矽片的坐標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、 notch。

12、內部封閉框架、減振器：將工作台與外部環境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，並維持穩定的溫度、壓力。