半導體cvd設備是什麼

A. 半導體設備有哪些種類

一、分立器件

1、 二極體

A、一般整流用

B、高速整流用：

①（Aast Recovery Diode:高速恢復二極體）

②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二極體）

③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極體）

C、定壓二極體（齊納二極體）

D、高頻二極體

①變容二極體

②PIN二極體

③穿透二極體

④崩潰二極體/甘恩二極體/驟斷變容二極體

2、 晶體管

①雙極晶體管

②FET（Fidld Effect Transistor:場效應管）

Ⅰ、接合型FET

Ⅱ、MOSFET

③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)

3、 晶閘管

①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅

②GTO（Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管）

③LTT（Light Triggered Thyristor:光觸發晶閘管）

二、光電半導體

1、LED（Light Emitting Diode:發光二極體）

2、激光半導體

3、受光器件

①光電二極體（Photo Diode）/太陽能電池（Sola Cell）

②光電晶體管（Photo Transistor）

③CCD圖像感測器（Charge Coupled Device:電荷耦合器）

④CMOS圖像感測器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互補型金屬氧化膜半導體）

4、光耦(photo Relay)

①光繼電器（photo Relay)

②光斷路器（photo Interrupter）

5、光通訊用器件

三、邏輯IC

1、通用邏輯IC

2、微處理器（Micro Processor）

①CISC(Complex Instruction Set Computer:復雜命令集計算機)

②RISC(Reced instruction SET Computer:縮小命令集計算機)

3、DSP(Digital Signal processor:數字信號處理器件)

4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）

①柵陳列（Gate-Array Device）

②SC(Standard Cell:標准器件)

③FPLD(Field programmable Logic Device:現場可編程化邏輯裝置)

5、MPR（Microcomputer peripheral:微型計算機外圍LSI）

6、系統LSI（System LSI）

四、模擬IC（以及模擬數字混成IC）

1、電源用IC

2、運算放大器（OP具Amp）

3、AD、DA轉換器（AD DA Converter）

4、顯示器用驅動器IC(Display Driver IC)

五、存儲器

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:動態隨機存取存儲器)

2、SRAM(Static Random Access Memory:靜態隨機存取儲器)

3、快閃式存儲器(Flash Memory)

4、掩模ROM(mask Memory)

5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:強介電質存儲器)

6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性體存儲器)

B. pvd和cvd各是什麼意思

PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以是某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能！ PVD基本方法：真空蒸發、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）
PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理氣相沉積）的縮寫，是指在真空條件下，採用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發並使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。
CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積)，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。經過CVD處理後，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但目前，不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。

C. 半導體CVD Ultima機台和Speed機台在工藝原理上有什麼區別最好能詳細點。

Ultima和Speed都是基於HDP工藝基礎上的機台，原理都是Dep和sputer同時進行的工藝，只是基於不同機台不同parts的叫法不同而已罷了。

D. 半導體行業用的VDB是什麼設備

半導體製程的每一步基本都要用到氣體, 氣體在進入機台前都要經過減壓, 而且一個內機台幾路甚至是十容幾路氣體. 往前端, 從氣源到機台這一部分, 叫hook up, 二次配管, 裡面也有很多. 再往前, 特氣有氣櫃, 氣櫃里有減壓器. 大宗氣體有氣站, 氣站上也有。

E. 半導體PCD設備是什麼

半導體有很多PCD, 例如：實驗室的pressure cook devices, 是壓力蒸餾器具。

F. 什麼是半導體設備

半導體設備即為利用半導體元件製造的電氣設備。

半導體，指常溫下導電性能介於導版體與絕緣體之間的材料權。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。如二極體就是採用半導體製作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。

半導體設備有激光打標機，激光噴碼機，包裝機，純水機等等

半導體材料分類半導體材料按化學成分和內部結構，大致可分為以下幾類：

1. 化合物半導體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。

2. 無定形半導體材料 用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料，分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種。

3. 元素半導體有鍺、硅、硒、硼、碲、銻等。

4. 有機增導體材料已知的有機半導體材料有幾十種，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到應用 。

G. PVD和CVD分別是什麼

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理氣相沉積：指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

PVD技術出現於，制備的薄膜具有高硬度、低摩擦系數、很好的耐磨性和化學穩定性等優點。最初在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界各國製造業的高度重視，人們在開發高性能、高可靠性塗層設備的同時，也在硬質合金、陶瓷類刀具中進行了更加深入的塗層應用研究。

與CVD工藝相比，PVD工藝處理溫度低，在600℃以下時對刀具材料的抗彎強度無影響；薄膜內部應力狀態為壓應力，更適於對硬質合金精密復雜刀具的塗層；PVD工藝對環境無不利影響，符合現代綠色製造的發展方向。

當前PVD塗層技術已普遍應用於硬質合金立銑刀、鑽頭、階梯鑽、油孔鑽、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀片、異形刀具、焊接刀具等的塗層處理。

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CVD例如，金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

這種技術最初是作為塗層的手段而開發的，但不只應用於耐熱物質的塗層，而且應用於高純度金屬的精製、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特徵的技術領域。

其技術特徵在於：

⑴高熔點物質能夠在低溫下合成；

⑵析出物質的形態在單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等多種；

⑶不僅可以在基片上進行塗層，而且可以在粉體表面塗層，等。特別是在低溫下可以合成高熔點物質，在節能方面做出了貢獻，作為一種新技術是大有前途的。

H. CVD設備用在哪些行業

追溯玻璃纖維的歷史，已知超過 3000 年以上。 自古代埃及遺跡裏發現將玻璃延伸細化之玻纖作為工藝品開始，古代人類已將玻璃溶解，並延伸成纖維狀。 自古代埃及遺跡里發現將玻璃延伸細化之玻纖作為工藝品開始，古代人類已將玻璃溶解，並延伸成纖維狀。 當時，其用途局限於工藝品，而工業化產業用途則是近數十年（不到百年）的事。 當時，其用途局限於工藝品，而工業化產業用途則是近數十年（不到百年）的事。 第一次世界大戰時，德國首先將玻璃短纖維代替石綿作為斷熱材，開啟了玻璃纖維工業化的時代。 第一次世界大戰時，德國首先將玻璃短纖維代替石綿作為斷熱材，開啟了玻璃纖維工業化的時代。 爾後，進入 1930 年代，則有美國 Owens Illinois Glass 公司與日本日東紡績公司開始生產玻璃長纖維。 爾後，進入 1930 年代，則有美國 Owens Illinois Glass 公司與日本日東紡績公司開始生產玻璃長纖維。 至第二次世界大戰時，美國軍事研究單位發明了將玻璃纖維與不飽和聚酯樹脂組合成 FRP （ Fiber Reinforced Plastics ）復合材。 至第二次世界大戰時，美國軍事研究單位發明了將玻璃纖維與不飽和聚酯樹脂組合成 FRP （ Fiber Reinforced Plastics ）復合材。 因此，復合材料時代之來臨與玻璃纖維工業之啟蒙發展有密切之關系。 因此，復合材料時代之來臨與玻璃纖維工業之啟蒙發展有密切之關系。 當然，其他多種材料如同玻璃纖維亦因戰爭之際會，在非預期狀況下應醞而生。 當然，其他多種材料如同玻璃纖維亦因戰爭之際會，在非預期狀況下應醞而生。 玻纖之種類與組成特性 玻纖之種類與組成特性 2.1 玻纖之分類玻纖依其製造方法、製品形態與主要用途大致可分為玻璃長纖維，玻璃短纖維與光學纖維三種，如表 1 所示。 2.1 玻纖之分類玻纖依其製造方法、製品形態與主要用途大致可分為玻璃長纖維，玻璃短纖維與光學纖維三種，如表 1 所示。 長纖維利用熔融紡絲法，主要使用在塑膠強化材與水泥強化材上；短纖維則利用火焰法與離心法製造，主要使用在斷熱保溫材、吸音材與過濾網上；光纖維則利用棒狀延伸法製造成長絲，使用在光傳輸纖維上。 長纖維利用熔融紡絲法，主要使用在塑膠強化材與水泥強化材上；短纖維則利用火焰法與離心法製造，主要使用在斷熱保溫材、吸音材與過濾網上；光纖維則利用棒狀延伸法製造成長絲，使用在光傳輸纖維上。 玻璃長纖維之直徑約在數μ m 至 20 余μ m ，必須保有優良之纖維強度與特殊之表面處理性，主要使用於 FRP 與 Cement 之強化材；短纖維之直徑大部份在數μ m 以下，呈棉狀形態，主要使用於斷熱、吸音材，與建築、設備用之材料，分別為玻璃長纖維與短纖維之電子顯微鏡的外觀。 玻璃長纖維之直徑約在數μ m 至 20 余μ m ，必須保有優良之纖維強度與特殊之表面處理性，主要使用於 FRP 與 Cement 之強化材；短纖維之直徑大部份在數μ m 以下，呈棉狀形態，主要使用於斷熱、吸音材，與建築、設備用之材料，分別為玻璃長纖維與短纖維之電子顯微鏡的外觀。 另外，光學纖維則是利用如 CVD 等高純度之方法製作玻璃棒母材，再將之延伸成直徑百餘μ m 之光纖長絲，並有光學傳輸特性。 另外，光學纖維則是利用如 CVD 等高純度之方法製作玻璃棒母材，再將之延伸成直徑百餘μ m 之光纖長絲，並有光學傳輸特性。 由於光纖另外獨立分野說明，故本文不予贅述。 由於光纖另外獨立分野說明，故本文不予贅述。 2.2 玻纖之組成特性目前日本市販代表之玻纖組成，如表 2 所示，E玻璃乃原是為電氣絕緣用而開發之產品，由於其組成幾乎不含一價之鹼性離子，故稱之為無鹼玻璃。 2.2 玻纖之組成特性目前日本市販代表之玻纖組成，如表 2 所示，E玻璃乃原是為電氣絕緣用而開發之產品，由於其組成幾乎不含一價之鹼性離子，故稱之為無鹼玻璃。 E玻纖具有優良之表面加工特性，可用於塑膠強化材，且佔了玻璃長纖維產量之 90 ％以上，似乎是玻璃纖維之代名詞。 E玻纖具有優良之表面加工特性，可用於塑膠強化材，且佔了玻璃長纖維產量之 90 ％以上，似乎是玻璃纖維之代名詞。 S玻璃較E玻璃之引張強度與彈性率高約 20 ％，使用在軍事用途與休閑用途之強化材為主，一般稱之為高強力玻纖。 S玻璃較E玻璃之引張強度與彈性率高約 20 ％，使用在軍事用途與休閑用途之強化材為主，一般稱之為高強力玻纖。 AR 玻璃之組成中含有大量的 Zr2O ，保有耐鹼的特性，可使用在水泥強化材，稱之為耐鹼玻纖。 AR 玻璃之組成中含有大量的 Zr2O ，保有耐鹼的特性，可使用在水泥強化材，稱之為耐鹼玻纖。 D玻璃屬低誘電率玻纖，其組成含 B2O3 較多，可適用於超級電腦、高速運算之印刷電路版或整流罩（ Radome ） D玻璃屬低誘電率玻纖，其組成含 B2O3 較多，可適用於超級電腦、高速運算之印刷電路版或整流罩（ Radome ） 。 C玻璃含 CaO 較多，屬於耐酸玻纖，適用於電池分離片。 C玻璃含 CaO 較多，屬於耐酸玻纖，適用於電池分離片。 A玻璃與無鹼玻璃不同之處乃系含有一價之鹼離子，主要用於玻璃短纖維復合材料用。 A玻璃與無鹼玻璃不同之處乃系含有一價之鹼離子，主要用於玻璃短纖維復合材料用。 另，歐美或台灣廠商亦有研製新組合成份，以應需求。 另，歐美或台灣廠商亦有研製新組合成份，以應需求。 2.3 玻纖之產品與需求特性玻纖之產品依需求而異，其形態有玻璃紗（ Glass Yarn ） 2.3 玻纖之產品與需求特性玻纖之產品依需求而異，其形態有玻璃紗（ Glass Yarn ） ，玻璃布（ Glass Cloth ） ，玻璃布（ Glass Cloth ） ，紗束（ Roving ） ，紗束（ Roving ） ，編紗束（ Woven Roving ），切股（ Chopped Strand ），切股氈（ Chopped Strand Mat ），表面席（ Fiberglass Tissue ），連續氈（ Continuous Strand Mat ）或磨碎纖維（ Milled Fiber ）等。 ，編紗束（ Woven Roving ），切股（ Chopped Strand ），切股氈（ Chopped Strand Mat ），表面席（ Fiberglass Tissue ），連續氈（ Continuous Strand Mat ）或磨碎纖維（ Milled Fiber ）等。 依應用不同有前述之無鹼玻璃、耐酸／鹼玻璃、低誘電率玻璃與高強力玻璃，其主要用途為玻纖強化塑膠（ FRP ）與印刷電路版 PCB （ Printed Circuit Board ）。 依應用不同有前述之無鹼玻璃、耐酸／鹼玻璃、低誘電率玻璃與高強力玻璃，其主要用途為玻纖強化塑膠（ FRP ）與印刷電路版 PCB （ Printed Circuit Board ）。 FRP 由強化纖維、基材（ Matrix ）與界面（ Interface ）特性所組成，其中強化纖維若是玻璃纖維時，則必須考慮玻璃纖維之物化性與特殊需求特性，並包含其纖維直徑、長度、用量、方向性與表面改質處理，裨以提升復合材之強度、剛性、抗疲勞、抗潛變與使用壽命，可承受主要負荷，並限制微裂紋延伸與加強可靠度。 FRP 由強化纖維、基材（ Matrix ）與界面（ Interface ）特性所組成，其中強化纖維若是玻璃纖維時，則必須考慮玻璃纖維之物化性與特殊需求特性，並包含其纖維直徑、長度、用量、方向性與表面改質處理，裨以提升復合材之強度、剛性、抗疲勞、抗潛變與使用壽命，可承受主要負荷，並限制微裂紋延伸與加強可靠度。 若選用玻璃纖維為電子級用印刷電路版（ PCB ）強化材料時，則須慎選其熱傳導性，抗張強度，尺寸安定性，防火性，介電強度，耐腐蝕性，低吸水性，與低成本等因素特性。 若選用玻璃纖維為電子級用印刷電路版（ PCB ）強化材料時，則須慎選其熱傳導性，抗張強度，尺寸安定性，防火性，介電強度，耐腐蝕性，低吸水性，與低成本等因素特性。

I. CVD是什麼

Chemical Vapor Deposition 化學氣相沉積，眾多薄膜沉積技術中的一種。有許多化合物在半導體運用上比銅或者鋁的性能更好，因而開發出來的一種薄膜沉積方式。

J. 半導體生產過程中的cvd過程是什麼意思

看你需要做啥樣的半導體 氣體只是原料來源 是可選的
比如四氫化硅啊
有時候還需要氫氣用於還原反應啊