超聲波k1探頭怎麼探測

Ⅰ 國內用超聲波斜探頭,K1,K1.5,K2.5的前沿分別大概是多少.比如K2是12或13mm.

晶片振動時，厚度和徑向兩個方向同時伸縮變形，厚度方向變形大，探測靈敏度高，徑向方向變形大，雜波多分辨力降低，盲區增大，發射脈沖變寬。

聲 速: 324.0 M/S 工件厚度: 16.00MM 探頭頻率: 2.500MC

探頭K值: 1.96 探頭前沿: 7.00MM 坡口類型: X

坡口角度: 60.00 對焊寬度: 2.00MM 補 償: -02 dB

判 廢: +05dB 定 量: -03dB 評 定: -09 dB

焊口編號: 0000 缺陷編號: 1. 檢測日期: 05.03.09

聲 速: 324.0 M/S 工件厚度: 16.00 MM 探頭頻率: 5.00 MC

探頭K值: 1.95 探頭前沿: 7.00 MM 坡口類型: X

坡口角度: 60.00 對焊寬度: 2.00 MM 補 償: -02 dB

判 廢: +05 dB 定 量: -03 dB 評 定: -09 dB

焊口編號: 0000 缺陷編號: 1. 檢測日期: 05.03.09

(1)超聲波k1探頭怎麼探測擴展閱讀

盲目追求短前沿：

以2.5P 13´13 K2探頭為例,b=15mm與b=11mm,斜楔為有機玻璃材料;

(1)、檢測20mm厚,X口對接焊縫,缺陷為焊縫層間未焊透.

(2)、信噪比的關系:有用波與雜波幅度之比必須大於18dB.

(3)、為什麼一次標記點與二次標記點之間有固定波？

由54頁表可知：COSb/COSa=0.68，K2探頭b=63.44°，

COS63.44°=0.447，COSa=0.447/0.68=0.66，

COSa=6.5/LX，前沿LX=6.5/0.66=9.85mm。

Ⅱ 請問常見的超聲波探頭(空氣中探測用)諧振頻率有沒有75KHz和200KHz的

這幾種都有，一般頻率越高直徑越小，上網搜一下超聲波感測器的廠家吧，國內就那麼幾家。需要說明的是，頻率越高，空氣中損耗越明顯，在功率和接收方式不變的情況下，有效檢測距離會明顯縮短。
40KHz能做到5mm~10mm的解析度，檢測距離在12米以內（視被測物體及環境，實驗室里可達25米），若這個解析度不夠，使用200KHz可以做到1mm~2mm、400KHz可以做到0.5mm~1mm解析度。當然如果接收演算法做的不好，或者需要極高的可靠性和響應速度，實際解析度可能是以上數值的3-5倍。
總之：發射功率及信號處理/解析度/可靠性/響應速度/器件成本等方面，犧牲其中一項或多項，都可以提高另外幾項的性能，例如你想提高解析度，又不願換探頭，也可以採用多次檢測取平均值的演算法，但實時性就下去了、響應變慢了。設計產品對這些方面的拿捏，就要看實際的應用場合了，適者生存嘛。

Ⅲ 超聲波探頭 怎麼檢測是否已經壞掉

那就看你的探頭是什麼頻率的了，有些探頭用手放在上面就能感受到他在震動。。。

Ⅳ 超聲波檢測，如何用試塊測探頭前沿和K值，有誰知道，幫忙教下具體方法，謝謝！

你要先調好波。完了要把構件表面清理干凈。塗抹纖維素。然後用試塊探頭探傷。

Ⅳ 超聲波探頭的應用舉例

1.斜探頭近場N=a´b´COSb/plCOSa。 λ =CS/¦.
直探頭近場N=D/4l。 λ=CL/¦.
2.橫波探傷時聲束應用范圍:1.64N-3N。
縱波探傷時聲束應用范圍:³3N。
雙晶直探頭探傷時,被檢工件厚度應在F菱形區內。
3.K值的確定應能保證一次聲程的終點越過焊縫中心線，與焊縫中心
線的交點到被檢工件內表面的距離應為被檢工件厚度的三分之一。
4.檢測16mm厚的工件用5P 9×9 K2、2.5P9X9K2、2.5P13X13K2那一種探頭合適(聚峰斜楔).以5P9X9K2探頭為例。
(1).判斷一次聲程的終點能否越過焊縫中心線?
（焊縫余高全寬+前沿）/工件厚度
(2).利用公式：
N?(工件內剩餘近場長度)=N(探頭形成的近場長度)—N?(探頭內部佔有的近場長度) =axbxcosβ/πxλxcosα–Ltgα/tgβ,計算被檢工件內部佔有的近場長度。講義附件（14題答案）。
A． 查教材54頁表: 材料 K值 1.0 1.5 2.0 2.5 3 有機玻璃 COSb/ COSa 0.88 0.78 0.68 0.6 0.52 聚碸 COSb/ COSa 0.83 0.704 0.6 0.51 0.44 有機玻璃 tga /tgb 0.75 0.66 0.58 0.5 0.44 聚碸 tga /tgb 0.62 0.52 0.44 0.38 0.33 COSb/COSa、tga/tgb與K值的關系
查表可知cosβ/cosα=0.6, tgα/tgβ=0.44, 計算可知α=41.35°.
B． λ=Cs/?=3.24/5=0.65mm
C．
參考圖計算可知：
tgα=L1/4.5, L1=tg41.35°X4.5=0.88X4.5=3.96mm.
cosα=2.5/L2, L2=2.5/cos41.5°=2.5/0.751=3.33mm,
L=L1+L2=7.3mm, Ltgα/tgβ=7.3×0.44=3.21mm,(N?)
由（1）可知，IS=35.8mm, 2S=71.6mm
N=axbxcosβ/pxλxcosa=9×9×0.6/3.14×0.65=23.81mm,
1.64N=39.1mm, 3N=71.43mm.
工件內部剩餘的近場(N?)=N-N?=20.6mm(此范圍以內均屬近場探傷).
(1.64N-N?)與IS比較, (3N-N?)與2S比較,
使用2.5P13X13K2探頭檢測16mm厚工件,1.64N與3N和5P9X9K2探頭基本相同,但使用中仍存在問題，2.5P9X9K2探頭存在什麼問題？
一.探傷過程中存在的典型問題:
不同探頭同一試塊的測量結果 反射體深度 1#探頭 2#探頭 橫波折射角 聲程 橫波折射角 聲程 mm ( ) mm ( ) mm 20 21.7 21.7 32.8 24.3 40 24.4 45.0 32.5 49.8 60 25.8 70 30.9 75.6 80 28.9 101.8 29.1 102.0 注:1.晶片尺寸13´13 2.晶片尺寸10´20.
試驗中發現:同一探頭(入射角不變)在不同深度反射體上測得的橫波折射角不同,進一步試驗還發現,折射角的變化趨勢與晶片的結構尺寸有關,對不同結構尺寸的晶片,折射角的變化趨勢不同,甚至完全相反,而對同一
晶片,改變探頭縱波入射角,其折射角變化趨勢基本不變,上表是兩個晶片尺寸不同的探頭在同一試塊上測量的結果.
1#探頭聲束中心軌跡 2#探頭聲束中心軌跡
1.縱波與橫波探頭概念不清.
第一臨界角:由折射定律SinaL/CL1=SinbL/CL2,當CL2>CL1時,bL>aL,隨著aL增加,bL也增加,當aL增加到一定程度時,bL=90,這時所對應的縱波入射角稱為第一臨界角aI,
aI=SinCL1/CL2=Sin2730/5900=27.6,當aL<aI時,第二介質中既有折射縱波L&cent;&cent;又有折射橫波S&cent;&cent;.
第二臨界角:由折射定律SinaL/CL1=SinbS/CS2, 當Cs2>CL1時,bS>aL,隨著aL增加,bS也增加,當aL增加一定程度時,bS=90,這時所對應的縱波入射角稱為第二臨界角aⅡ.aⅡ=SinCL1/CS2=Sin2730/3240=57.7.當aL=aI--aⅡ時,第二介質中只有折射橫波S,沒有折射縱波L,常用橫波探頭的製作原理。
利用折射定律判斷1#探頭是否為橫波探頭。
A. 存橫波探傷的條件:Sin27.6/2730=Sinb/3240,
Sinb=Sin27.6&acute;3240/2730=0.55,b=33.36,K=0.66。
B.折射角為21.7時：
Sina/2730=Sin21.7/3240,Sina=Sin21.7&acute;2730/3240,a=18.15,
小於第一臨界角27.6。
折射角為28.9時：
Sina/2730=Sin28.9/3240,Sina= Sin28.9&acute;2730/3240,a=24,也小於第一臨界角27.6。
C.如何解釋1#探頭隨反射體深度增加,折射角逐漸增大的現象,由A、B
可知,1#探頭實際為縱波斜探頭,同樣存在上半擴散角與下半擴散角,而且上半擴散角大於下半擴散角。（講義附件9題答案）。
縱波入射角aL由0逐漸向第一臨界角aI(27.6)增加時,第二介質中的縱波能量逐漸減弱,橫波能量逐漸增強,在聲束的一定范圍內,q下區域內的縱波能量大於q上區域內的縱波能量,探測不同深度的孔,實際上是由q下區域內的縱波分量獲得反射回波最高點。
由超聲場橫截面聲壓分布情況來看,A點聲壓在下半擴散角之內,B點聲壓在上半擴散角之內,且A點聲壓高於B點聲壓。再以近場長度N的概念來分析,2.5P 13&acute;13 K1探頭N=36.5mm,由此可知反射體深度20mm時,聲程約21.7mm,b=21.7時N=40.07mm為近場探傷。
在近場內隨著反射體深度增加聲程增大,A點與B點的能量逐漸向C點增加,折射角度小的探頭角度逐漸增大,折射角度大的探頭角度逐漸減少。
2.盲目追求短前沿:
以2.5P 13&acute;13 K2探頭為例,b=15mm與b=11mm,斜楔為有機玻璃材料;
(1).檢測20mm厚,X口對接焊縫,缺陷為焊縫層間未焊透.
(2).信噪比的關系:有用波與雜波幅度之比必須大於18dB.
(3).為什麼一次標記點與二次標記點之間有固定波？
由54頁表可知：COSb/COSa=0.68，K2探頭b=63.44°，
COS63.44°=0.447，COSa=0.447/0.68=0.66，
COSa=6.5/LX，前沿LX=6.5/0.66=9.85mm。（講義附件6題答案）。
3.如何正確選擇雙晶直探頭:
(1).構造、聲場形狀、菱形區的選擇;
(2).用途:為避開近場區,主要檢測薄板工件中面積形缺陷.
(3).發射晶片聯接儀器R口,接收晶片聯接T口(匹配線圈的作用).
4.探頭應用舉例:
二.超聲波探頭的工作原理:
1．通過壓電效應發射、接收超聲波。
2．640V的交變電壓加至壓電晶片銀層，使面積相同間隔一定距離的兩塊金屬極板分別帶上等量異種電荷形成電場，有電場就存在電場力，壓電晶片處在電場中，在電場力的作用下發生形變，在交變電場力的作用下，發生變形的效應，稱為逆壓電效應，也是發射超聲波的過程。
3．超聲波是機械波，機械波是由振動產生的，超聲波發現缺陷引起缺陷振動，其中一部分沿原路返回，由於超聲波具有一定的能量，再作用到壓電晶體上，使壓電晶體在交變拉、壓力作用下產生交變電場，這種效應稱為正壓電效應，是接收超聲波的過程。正、逆壓電效應統稱為壓電效應。
※以儀器的電路來說，只能放大電壓或電流信號，不能放大聲信號。

Ⅵ 超聲波檢測

在CSK-IA試塊上校準機器，然後在CSK-ⅣA試塊上做出DAC曲線，找到200MM處的缺陷波位置。就可以確定200mm厚的靈敏度。
在探傷時應進行雙面雙側探傷。以免漏檢
探頭應為K1

Ⅶ 超聲波斜探頭 2.5mc 6*6 K3 K2 K1 什麼意思

2.5mc,應是2.5P
2.5P探頭頻率,超聲波探傷頻率0.5~10MHz之間，選擇范圍大。一般選擇頻率時應考慮以下因素:
(1) 由於波的繞射，使超聲波探傷靈敏度約為波長的一半，因此提高頻率，有利於發現更小的缺陷。
(2) 頻率高，脈沖寬度小，分辨力高，有利於區分相鄰缺陷。
(3) 頻率高，波長短，則半擴散角小，聲束指向性好，能量集中，有利於發現缺陷並對缺陷定位。
(4) 頻率高，波長短，近場區長度大，對探傷不利。
(5) 頻率增加，衰減急劇增加。
由以上分析可知，頻率的高低對探傷有較大的影響，頻率高，靈敏度和分辨力高，指向性好，對探傷有利；但近場區長度大，衰減大，又對探傷不利。實際探傷中要全面分析考慮各方面的因素，合理選擇頻率。一般在保證探傷靈敏度的前提下盡可能選用較低的頻率。
對於晶粒較細的鍛件、軋製件和焊接件等，一般選用較高的頻率，常用2.5~5MHz；對晶粒較粗大的鑄件、奧氏體鋼等宜選用較低的頻率，常用0.5~2.5MHz。如果頻率過高，就會引起嚴重衰減，屏幕上出現林狀回波，信噪比下降，甚至無法探傷。
6*6, 6*6mm,探頭晶片尺寸,晶片尺寸對探傷也有一定的影響，選擇晶片尺寸進要考慮以下因素：
（1） 晶片尺寸增加，半擴散角減少，波束指向性變好，超聲波能量集中，對探傷有利。
（2） 晶片尺寸增加，近場區長度迅速增加，對探傷不利。
（3） 晶片尺寸大，輻射的超聲波能量大，探頭未擴散區掃查范圍大，遠距離掃查范圍相對變小，發現遠距離缺陷能力增強。
以上分析說明晶片大小對聲束指向性、近場區長度、近距離掃查范圍和遠距離缺陷檢出能力有較大的影響。實際探傷中，探傷面積范圍大的工件時，為了提高探傷效率宜選用大晶片探頭；探傷厚度大的工件時，為了有效地發現遠距離的缺陷宜選用大晶片探頭；探傷小型工件時，為了提高缺陷定位定量精度宜選用小晶片探頭；探傷表面不太平整，曲率較低較大的工件時，為了減少耦合損失宜選用小晶片探頭。
K3 K2 K1 ,橫波斜頭K值,在橫波探傷中，探頭的K值對探傷靈敏度、聲束軸線的方向，一次波的聲程（入射點至底面反射點的距離）有較大的影響。K值大，一次波的聲程大。因此在實際探傷中，當工件厚度較小時，應選用較大的K值，以便增加一次波的聲程，避免近場區探傷；當工件厚度較大時，應選用較小的K值，以減少聲程過大引起的衰減，便於發現深度較大處的缺陷。在焊縫探傷中，不要保證主聲束能掃查整個焊縫截面；對於單面焊根未焊透，還要考慮端角反射問題，應使K=0.7~1.5,因為K<0.7或K>1.5，端角反射很低，容易引起漏檢。

Ⅷ 超聲波的K1,K2,K3探頭角度為多少

45° 63° 71°
換算 K1=tan﹣1（1）
K2=tan﹣1（2）
K3=tan﹣1（3）

Ⅸ 超聲波探頭怎麼連接單片機

另外兩個引腳，一個是觸發控制信號輸入TRIG ，另一個是回響信號輸出ECHO，只要你的單片機有兩個引腳可以通過軟體控制，可以輸入輸出，就可以接上，沒有強制要接到哪兩個引腳上。

Ⅹ k2探頭和k3的探頭探傷結果差異是什麼原因

你所指的差異是什麼呢？波幅高度？缺陷長度？漏檢？
我理解你的差異：
1、波幅高度，K2探頭與K3探頭缺陷波幅高度不同，即K3檢測可以合格，而K2探頭檢測超標。
不同K值的探頭，其聲束入射角不同，當缺陷與聲束互相垂直時，波幅最高，所以兩種角度的探頭肯定與缺陷的夾角不同，造成檢測出來的波幅相差較大，這種情況下，按波幅最高的來判定。
2、K3檢測發現缺陷，而K2檢測未發現缺陷，或相反。2種原因造成這種結果。
（1）還是上述的原因，即聲束與缺陷夾角的問題；
（2）K2的探頭直射法檢測時物理盲區大於K3，造成K2探頭漏檢。
3、K3的探頭通常其擴散角和聲束的聲程大於K2，相同質量的探頭，K2的信噪比好與K3。
不知道你所謂的差異是什麼，可以詳細描述下你的問題，也可以網路「NDT新思想」找到我，一起探討下什麼原因。