想250w的超聲波要怎麼設置

① 清洗機的工作原理是怎樣的

清洗機的工作原理：是通過動力驅動泵對水完成一個吸、排過程，將一定量的水輸送到高壓管路，使其以很大的能量到達高壓噴嘴。

高壓噴嘴的孔徑要比高壓管路直徑小很多，當水流到達高壓噴嘴時要想流出噴嘴孔必須加速。經過噴嘴孔加速凝聚的水才能形成了大水流的形式。當高壓清洗機噴出的水流打擊在清洗對象上時就稱為s流作業。它的沖擊力大於污垢和物體表面附著力時，高壓水流就會將污垢沖走，從而達到清洗物體的目的。

所以高壓清洗也是世界公認最科學、經濟、環保的清潔方式之一。可分為冷水高壓清洗機、熱水高壓清洗機、電機驅動高壓清洗機、汽油機驅動高壓清洗機等。

一般的高壓清洗機可以分為家用及專業用兩種。如果你使用清洗機的時間在一年50小時以下，就只需要購買家用清洗機。售價相對便宜些，重量較輕，材質簡單且不耐熱。如果使用的時間有100小時以上，就要考慮專業用高壓清洗機，體積較大，材質採用銅合金泵頭、不銹鋼閥門等耐用素材，價錢當然也貴上好多。所以如何選擇，應視消費者需要而定。

高壓清洗機視場合要求可分為熱水和冷水式的。一般市面上大部分是冷水式，以水龍頭注入常溫清水便可使用;但有部分營業場所需要以熱水沖洗，這時就必須特別選購熱水式的高壓清洗機，如果冒然用冷水式的注入熱水，內部零件包括水泵會極快損壞，得不償失。

② 超聲波清洗機原理的原理

下面就為大家介紹下其工作的主要環節和步驟，超聲波清洗機如何工作的原理及知識。超聲波是頻率高於20000赫茲的聲波，它方向性好，穿透能力強，易於獲得較集中的聲能，在水中傳播距離遠，可用於測距、測速、清洗、焊接、碎石、殺菌消毒等。在醫學、軍事、工業、農業上有很多的應用。超聲波因其頻率下限大約等於人的聽覺上限而得名。超聲波清洗機原理主要是通過換能器，將功率超聲頻源的聲能轉換成機械振動，通過清洗槽壁將超聲波輻射到槽子中的清洗液。由於受到超聲波的輻射，使槽內液體中的微氣泡能夠在聲波的作用下從而保持振動。 當聲壓或者聲強受到壓力到達一定程度時候，氣泡就會迅速膨脹，然後又突然閉合。在這段過程中，氣泡閉合的瞬間產生沖擊波，使氣泡周圍產生1012-1013pa的壓力及局調溫，這種超聲波空化所產生的巨大壓力能破壞不溶性污物而使他們分化於溶液中，蒸汽型空化對污垢的直接反復沖擊。
一方面破壞污物與清洗件表面的吸附，另一方面能引起污物層的疲勞破壞而被駁離，氣體型氣泡的振動對固體表面進行擦洗，污層一旦有縫可鑽，氣泡立即「鑽入」振動使污層脫落，由於空化作用，兩種液體在界面迅速分散而乳化，當固體粒子被油污裹著而粘附在清洗件表面時，油被乳化、固體粒子自行脫落，超聲在清洗液中傳播時會產生正負交變的聲壓，形成射流，沖擊清洗件，同時由於非線性效應會產生聲流和微聲流，而超聲空化在固體和液體界面會產生高速的微射流，所有這些作用，能夠破壞污物，除去或削弱邊界污層，增加攪拌、擴散作用，加速可溶性污物的溶解，強化化學清洗劑的清洗作用。由此可見，凡是液體能浸到且聲場存在的地方都有清洗作用，其特點適用於表面形狀非常復雜的零件的清洗。尤其是採用這一技術後，可減少化學溶劑的用量，從而大大降低環境污染。
第二超聲波在液體中傳播，使液體與清洗槽在超聲波頻率下一起振動，液體與清洗槽振動時有自己固有頻率，這種振動頻率是聲波頻率，所以人們就聽到嗡嗡聲。
另外，在超聲波清洗過程中，肉眼能看見的泡並不是真空核群泡，而是空氣氣泡，它對空化作用產生抑製作用降低清洗效率。只有液體中的空氣氣泡被完全拖走，空化作用的真空核群泡才能達到最佳效果。

③ 哪位給我推薦一些npn 型大功率三極體，1000v15A200w以上，做超聲波發生器用的

建議你試用2SC3998
也可以試用2SC5244, 2SC5244A，但只有200W
如電路設計可以變動的話，可改用IGBT，如電磁爐所用的管子。

④ 清洗矽片的順序

太陽能矽片表面等離子體清洗工藝

矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。 去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所霈工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。

等離子矽片清洗條件參數：
1、矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝；所用氣體選自02、Ar、N2中的任一種；氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力1040毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
2、如1所述的等離子體清洗方法，其特徵在於所用氣體為02。
3、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
4、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時閭1-5s。
5、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss

說 明 書

等離子清洗涉及刻蝕工藝領域，並且完全滿足去除刻蝕工藝後矽片表面殘
留顆粒的清洗。
背景技術
在刻蝕過程中，顆粒的來源很多：刻蝕用氣體如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結束後會在矽片表面產生一定數量的顆粒；反應室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產生石英顆粒；反應室內的內襯( liner)也會在較長時間的刻蝕過程中產生金屬顆粒。刻蝕後矽片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接，導致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。
目前，常用的去除矽片表面顆粒的方法有兩種：一種是標准清洗( RCA)清洗技術，另一種是用矽片清洗機進行兆聲清洗。RCA清洗技術所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統。其清洗工序為：一號液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀釋的HF(DHF)(HF+H20)—，二號液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除顆粒沾污（粒子），也能去除部分金屬雜質。去除顆粒的原理為：矽片表面由於H202氧化作用生成氧化膜（約6nm，呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕後立即發生氧他，氧化和腐蝕反復進行，附著在矽片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內。自然氧化膜約0.6nm厚，與NH40H和H202的濃度及清洗液溫度無關。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與未被氧化的金屬作用生成鹽，並隨去離子水沖洗而被去除，被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。RCA清洗技術存在以下缺陷：需要人工操作，勞動量大，操作環境危險；工藝復雜，清洗時間長，生產效率低；清洗溶劑長期浸泡容易對矽片過腐蝕或留下水痕，影響器件性能；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高；去除
粒子效果較好，但去除金屬雜質Al、Fe效果欠佳。
用矽片清洗機進行兆聲清洗是將矽片吸附在靜電卡盤( chuck)上，清洗過程中矽片不斷旋轉，清洗液噴淋在矽片表面。可以進行不同轉速和噴淋時間的設置，連續完成多步清洗步驟。典型工藝為：兆聲_氨水+雙氧水（可以進行加溫）_水洗_鹽酸+雙氧水-水洗_兆聲一甩干。
用矽片清洗機進行兆聲清洗的缺陷表現為：只能進行單片清洗，單片清洗時間長，導致生產效率較低；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高。

等離子清洗矽片表面顆粒原理：
等離子體清洗方法的原理為：依靠處於「等離子態」的物質的「活化作用，，達到去除物體表面顆粒的目的。它通常包括以下過程：a．無機氣體被激發到等離子態；b．氣相物質被吸附在固體表面；c．被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；d．產物分子解析形成氣相；e．反應殘余物脫離表面。
等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗（purge）流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。
所用工藝氣體選自02、Ar、N2中的任一種。優選地，所用工藝氣體選
02。
以上所述的等離子體清洗方法，氕體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s；啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時間1.Ss。
更優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
等離子清洗矽片後效果：
本發明所述的去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所需工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。
附圖說明
圖1等離子體清洗前後的CD-SEM（關鍵尺寸量測儀器）圖片；
其中，CD: Criticaldimension關鍵尺寸。
圖2等離子體清洗前後的FE-SEM（場發射顯微鏡）圖片；
其中，FE: field emission場發射。
圖3等離子體清洗前後的particle（粒子）圖片。
在進行完BT（break through自然氧化層去除步驟）、ME（Main Etch主刻步驟）、OE（過刻步驟）的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行02的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，通氣時間為3s;然後，進行含有02的啟輝過程：腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，上RF的功率設置為300W．啟輝時間為Ss。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行Ar的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有Ar的啟輝過程：腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，上RF的功率設置為400W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行N2的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有N2的啟輝過程：腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，上RF的功率設置為250W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
南京世鋒科技等離子研究中心 QQ283加5883加29