⑴ DDR內存是什麼意思高手指教
DDR內存識別DDR內存顧名思義就是雙倍速率同步動態隨機存儲器，通常簡稱其為。由於它在時鍾觸發沿的上、下沿都能夠進行數據傳輸，所以在相同的匯流排頻率下DDR內存具有更高的數據帶寬。DDR與SDRAM在外觀上沒什麼太大的差別，二者具有相同的長度與同樣的管腳距離。但是，DDR內存具有184隻管腳，比傳統的SDRAM多16隻，這些管腳主要包含了新的閥門控制、電源、時鍾、和接地等信號介面。
目前市場上充斥著很多假冒名牌內存，以低容量內存冒充高容量，以低速內存冒充高速度，這就要求用戶學會怎樣識別假冒內存的規格和內存晶元編號。一般方法是看SPD晶元中的信息和內存晶元上的編號，由於SPD晶元內的信息是內存的技術規范，因此一般用戶在櫃台購買內存時是看不到的，所以用戶只能依靠內存顆粒上的編號來識別。由於各生產廠家的內存編號不近相同，因此下面就舉例說明內存編號上代表的信息。
二、內存編號
現代DDR內存
隨著各大內存和主板廠商的跟近，使得我們有理由相信DDR的時代終於來臨了。既然DDR內存已經下滑到傳統的SDRAM價格水平，支持DDR的主板晶元組技術日益成熟，那我們就沒有理由去買一台配備SDRAM的ATHLON計算機。雙倍速傳輸速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等顯卡上應用也已經快2年了，並得到了大家的認可。HY作為SDRAM的顆粒生產大廠自然早已加入了DDR的生產行列，但是我們對其顆粒編號的認識還是很模糊的，下面我就來給大家介紹介紹HY顆粒編號的秘密。
1: HY代表是現代的產品
2：內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3：工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4：晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5: 代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6：BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系
7：I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8：晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新
9：代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元
10：內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11：工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L：DDR200、H： DDR266B、 K：DDR266A
三星DDR內存
三星的DDR內存目前在市場上的銷量算是比較大的，搞清楚內存顆粒上的編號的含義，對於用戶的選購是絕對有好處的，下面我們就來看看這些數字代表什麼意思。
1、KM或者K表示相應的內存顆粒是三星生產的
2、內存晶元類型：4表示DDR SDRAM
3、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
4、工作電壓：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V
5、內存密度組成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit
6、晶元容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]
7、表示內存排數：3：4排、4：8排
8、代表介面電壓：0：混合介面LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V)
9、表示封裝類型：T：66針TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)
10、工作頻率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)
Micron DDR內存
Micron公司是世界上知名內存生產商之一，其SDRAM晶元編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
1、MT代表Micron的產品
2、代表產品種類：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus
3、代表處理工藝：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS
5、容量單位：無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）
6、表示數據位寬：4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
8、代表封裝:TG=TSOPⅡ封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F=54針4行FBGA，FB=60針8*16 FBGA，FC=60針11*13 FBGA，FP=反轉晶元封裝，FQ=反轉晶元密封，F1=62針2行FBGA，F2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA
9、代錶速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5）
10、代表功耗：L=低耗，空白=普通
TOSHIBA DDR內存
1、TC代表是東芝的產品
2、59代表SDRAM代表是SDRAM
3、代表內存種類：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
5、表示數據位寬：04、08、16、32分別代表4位、8位、16位和32位
6、表示內核的版本：可以為空白或A、B、C等字母，越往後代表內核越新
7、代表封裝：FT為TSO II封裝
8、代表內存功耗：L=低功耗，空白=普通
9:、代錶速度：75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3
宇瞻DDR內存
1、W代表內存顆粒是由Winbond生產
2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM
5、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；
6、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝
7、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz