1. 請問 讀取晶元數據的儀器叫什麼
不知你是讀取晶元的硬體數據還是軟體數據，如果是硬體數據那就有很多了如最常用的萬用表，示波器，晶休管I/V曲線測試儀等。若是讀取晶元內的程序則用編程器讀取後再進行反匯編，但如果有加密的話成功的機會很小
2. 集成電路的檢測都會使用到哪些檢測設備
集成電路的檢測（IC test）分為wafer test（晶圓檢測）、chip test（晶元檢測）和package test（封裝檢測）。
wafer test是在晶圓從晶圓廠生產出來後，切割減薄之前的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的，一般是將晶圓放在測試平台上，用探針探到晶元中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。
對於光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。
wefer test主要設備：探針平台。
wefer test輔助設備：無塵室及其全套設備。
wefer test是效率最高的測試，因為一個晶圓上常常有幾百個到幾千個甚至上萬個晶元，而這所有晶元可以在測試平台上一次性檢測。
chip test是在晶圓經過切割、減薄工序，成為一片片獨立的chip之後的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的，一般是將晶圓放在測試平台上，用探針探到晶元中事先確定的檢測點，探針上可以通過直流電流和交流信號，可以對其進行各種電氣參數檢測。chip test和wafer test設備最主要的區別是因為被測目標形狀大小不同因而夾具不同。
對於光學IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。
chip test主要設備：探針平台（包括夾持不同規格chip的夾具）
chip test輔助設備：無塵室及其全套設備。
chip test能檢測的范圍和wafer test是差不多的，由於已經經過了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來。但chip test效率比wafer test要低不少。
package test是在晶元封裝成成品之後進行的檢測。由於晶元已經封裝，所以不再需要無塵室環境，測試要求的條件大大降低。
一般package test的設備也是各個廠商自己開發或定製的，通常包含測試各種電子或光學參數的感測器，但通常不使用探針探入晶元內部（多數晶元封裝後也無法探入），而是直接從管腳連線進行測試。
由於package test無法使用探針測試晶元內部，因此其測試范圍受到限制，有很多指標無法在這一環節進行測試。但package test是最終產品的檢測，因此其檢測合格即為最終合格產品。
IC的測試是一個相當復雜的系統工程，無法簡單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。
一般說來，是根據設計要求進行測試，不符合設計要求的就是不合格。而設計要求，因產品不同而各不相同，有的IC需要檢測大量的參數，有的則只需要檢測很少的參數。
事實上，一個具體的IC，並不一定要經歷上面提到的全部測試，而經歷多道測試工序的IC，具體在哪個工序測試哪些參數，也是有很多種變化的，這是一個復雜的系統工程。
例如對於晶元面積大、良率高、封裝成本低的晶元，通常可以不進行wafer test，而晶元面積小、良率低、封裝成本高的晶元，最好將很多測試放在wafer test環節，及早發現不良品，避免不良品混入封裝環節，無謂地增加封裝成本。
IC檢測的設備，由於IC的生產量通常非常巨大，因此向萬用表、示波器一類手工測試一起一定是不能勝任的，目前的測試設備通常都是全自動化、多功能組合測量裝置，並由程序控制，你基本上可以認為這些測試設備就是一台測量專用工業機器人。
IC的測試是IC生產流程中一個非常重要的環節，在目前大多數的IC中，測試環節所佔成本常常要佔到總成本的1/4到一半。
3. 晶元分析儀器及手段有哪些
晶元分析儀器有： 1 C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉澱物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 X－Ray（這兩者是晶元發生失效後首先使用的非破壞性分析手段），德國Feinfocus 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析 ；利於判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷.參數：標准檢測解析度＜500納米 ； 幾何放大倍數: 2000 倍 最大放大倍數: 10000倍 ；輻射小: 每小時低於1 μSv ； 電壓: 160 KV, 開放式射線管設計 防碰撞設計；BGA和SMT（QFP）自動分析軟體，空隙計算軟體，通用缺陷自動識別軟體和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應用。 Feinfocus微焦點X射線（德國） Y.COUGAR F/A系列可選配樣品旋轉360度和傾斜60度裝置。 Y.COUGAR SMT 系列配置140度傾斜軸樣品，選配360度旋轉台 3 SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規微區分析，精確測量元器件尺寸）, 日本電子 4 EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬於常用漏電流路徑分析手段,尋找發熱點，LC要藉助探針台，示波器） 5 FIB做一些電路修改； 6 Probe Station 探針台/Probing Test 探針測試，ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在晶元流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發生後才想到要篩取良片送驗）這些已經提到了多數常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程，取die,decap（開封，開帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等，有些也需要相應的儀器機台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內部情況以及分層失效。 除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ,二次離子質譜 SIMS,飛行時間質譜TOF － SIMS ,透射電鏡TEM , 場發射電鏡,場發射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統，能量損失 X 光微區分析系統等很多手段，不過這些項目不是很常用。 FA步驟: 2 非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內部結構，等等； 3 電測：主要工具，萬用表，示波器，sony tek370a，現在好象是370b了； 4 破壞性分析：機械decap，化學 decap晶元開封機 半導體器件晶元失效分析 晶元內部分層，孔洞氣泡失效分析 C-SAM的叫法很多有，掃描聲波顯微鏡或聲掃描顯微鏡或掃描聲學顯微鏡或超聲波掃描顯微鏡(Scanning acoustic microscope）總概c-sam(sat)測試。 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析 ；利於判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標准檢測解析度＜500納米 ； 幾何放大倍數: 2000 倍 最大放大倍數: 10000倍 ；輻射小: 每小時低於1 μSv ； 電壓: 160 KV, 開放式射線管設計防碰撞設計；BGA和SMT（QFP）自動分析軟體，空隙計算軟體，通用缺陷自動識別軟體和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應用。晶元開封機DECAP主要用於晶元開封驗證SAM，XRAY的結果。