㈠ 萬用表是什麼儀表
早期的萬用表其實就是三用表能檢測電壓,電流,電阻。現在隨著科技的發展的需要,三用表擴展多種功能,也能檢測,頻率,電容,一些半導體器件,等。由於它的測試功能強大,就得了一個美稱,萬用表。
㈡ 可以測電阻 電壓 電流的儀器叫什麼
萬用表上有專門的測量電壓,電流,電阻的檔位。
各符號如下:
V-:直流電壓
V~:交流電壓
A-:直流電流
A~:交流電流
hEF: 放大倍數
∏:電阻
F:電容
測電壓:
先判斷是直流還是交流,然後分別打到相應的量程的電壓測量檔,再將表筆並聯到被測電壓點兩端
測電流:
先判斷是直流還是交流,然後分別打到相應的量程的電流測量檔,將萬用表串聯入被測電路中。
電阻:電阻就比較簡單,選擇合適檔位,把表筆分別放至至被測電阻兩端就行。
㈢ 怎麼用示波器測電壓
LED電源需要的示波器一般都是頻率不高的示波器,示波器的探針有一個紅色的筆針接你要測量的地方。 黑色的架子是電壓參考介面,一般接地。示波器屏幕中央的橫線是0V的位置,根據你示波器幅度調節旋鈕,對比出測量的電壓值。 也可以使用mark功能讀出電壓。
資料拓展:
示波器是一種用途十分廣泛的電子測量儀器。它能把肉眼看不見的電信號變換成看得見的圖像,便於人們研究各種電現象的變化過程。示波器利用狹窄的、由高速電子組成的電子束,打在塗有熒光物質的屏面上,就可產生細小的光點(這是傳統的模擬示波器的工作原理)。在被測信號的作用下,電子束就好像一支筆的筆尖,可以在屏面上描繪出被測信號的瞬時值的變化曲線。利用示波器能觀察各種不同信號幅度隨時間變化的波形曲線,還可以用它測試各種不同的電量,如電壓、電流、頻率、相位差、調幅度等等。
用來測量交流電或脈沖電流波的形狀的儀器,由電子管放大器、掃描振盪器、陰極射線管等組成。除觀測電流的波形外,還可以測定頻率、電壓強度等。凡可以變為電效應的周期性物理過程都可以用示波器進行觀測。
電壓的測量
利用示波器所做的任何測量,都是歸結為對電壓的測量。示波器可以測量各種波形的電壓幅度,既可以測量直流電壓和正弦電壓,又可以測量脈沖或非正弦電壓的幅度。更有用的是它可以測量一個脈沖電壓波形各部分的電壓幅值,如上沖量或頂部下降量等。這是其他任何電壓測量儀器都不能比擬的。
1.直接測量法
所謂直接測量法,就是直接從屏幕上量出被測電壓波形的高度,然後換算成電壓值。定量測試電壓時,一般把Y軸靈敏度開關的微調旋鈕轉至「校準」位置上,這樣,就可以從「V/div」的指示值和被測信號佔取的縱軸坐標值直接計算被測電壓值。所以,直接測量法又稱為標尺法。
(1)交流電壓的測量
將Y軸輸入耦合開關置於「AC」位置,顯示出輸入波形的交流成分。如交流信號的頻率很低時,則應將Y軸輸入耦合開關置於「DC」位置。
將被測波形移至示波管屏幕的中心位置,用「V/div」開關將被測波形控制在屏幕有效工作面積的范圍內,按坐標刻度片的分度讀取整個波形所佔Y軸方向的度數H,則被測電壓的峰-峰值VP-P可等於「V/div」開關指示值與H的乘積。如果使用探頭測量時,應把探頭的衰減量計算在內,即把上述計算數值乘10。
例如示波器的Y軸靈敏度開關「V/div」位於0.2檔級,被測波形佔Y軸的坐標幅度H為5div,則此信號電壓的峰-峰值為1V。如是經探頭測量,仍指示上述數值,則被測信號電壓的峰-峰值就為10V。
(2)直流電壓的測量
將Y軸輸入耦合開關置於「地」位置,觸發方式開關置「自動」位置,使屏幕顯示一水平掃描線,此掃描線便為零電平線。
將Y軸輸入耦合開關置「DC」位置,加入被測電壓,此時,掃描線在Y軸方向產生跳變位移H,被測電壓即為「V/div」開關指示值與H的乘積。
直接測量法簡單易行,但誤差較大。產生誤差的因素有讀數誤差、視差和示波器的系統誤差(衰減器、偏轉系統、示波管邊緣效應)等。
2.比較測量法
比較測量法就是用一已知的標准電壓波形與被測電壓波形進行比較求得被測電壓值。將被測電壓Vx輸入示波器的Y軸通道,調節Y軸靈敏度選擇開關「V/div」及其微調旋鈕,使熒光屏顯示出便於測量的高度Hx並做好記錄,且「V/div」開關及微調旋鈕位置保持不變。去掉被測電壓,把一個已知的可調標准電壓Vs輸入Y軸,調節標准電壓的輸出幅度,使它顯示與被測電壓相同的幅度。此時,標准電壓的輸出幅度等於被測電壓的幅度。比較法測量電壓可避免垂直系統引起和誤差,因而提高了測量精度。
資料參考:
示波器 網路
㈣ 集成電路的檢測都會使用到哪些檢測設備
集成電路的檢測(IC test)分為wafer test(晶圓檢測)、chip test(晶元檢測)和package test(封裝檢測)。
wafer test是在晶圓從晶圓廠生產出來後,切割減薄之前的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的,一般是將晶圓放在測試平台上,用探針探到晶元中事先確定的檢測點,探針上可以通過直流電流和交流信號,可以對其進行各種電氣參數檢測。
對於光學IC,還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。
wefer test主要設備:探針平台。
wefer test輔助設備:無塵室及其全套設備。
wefer test是效率最高的測試,因為一個晶圓上常常有幾百個到幾千個甚至上萬個晶元,而這所有晶元可以在測試平台上一次性檢測。
chip test是在晶圓經過切割、減薄工序,成為一片片獨立的chip之後的檢測。其設備通常是測試廠商自行開發製造或定製的,一般是將晶圓放在測試平台上,用探針探到晶元中事先確定的檢測點,探針上可以通過直流電流和交流信號,可以對其進行各種電氣參數檢測。chip test和wafer test設備最主要的區別是因為被測目標形狀大小不同因而夾具不同。
對於光學IC,還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能檢測。
chip test主要設備:探針平台(包括夾持不同規格chip的夾具)
chip test輔助設備:無塵室及其全套設備。
chip test能檢測的范圍和wafer test是差不多的,由於已經經過了切割、減薄工序,還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來。但chip test效率比wafer test要低不少。
package test是在晶元封裝成成品之後進行的檢測。由於晶元已經封裝,所以不再需要無塵室環境,測試要求的條件大大降低。
一般package test的設備也是各個廠商自己開發或定製的,通常包含測試各種電子或光學參數的感測器,但通常不使用探針探入晶元內部(多數晶元封裝後也無法探入),而是直接從管腳連線進行測試。
由於package test無法使用探針測試晶元內部,因此其測試范圍受到限制,有很多指標無法在這一環節進行測試。但package test是最終產品的檢測,因此其檢測合格即為最終合格產品。
IC的測試是一個相當復雜的系統工程,無法簡單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。
一般說來,是根據設計要求進行測試,不符合設計要求的就是不合格。而設計要求,因產品不同而各不相同,有的IC需要檢測大量的參數,有的則只需要檢測很少的參數。
事實上,一個具體的IC,並不一定要經歷上面提到的全部測試,而經歷多道測試工序的IC,具體在哪個工序測試哪些參數,也是有很多種變化的,這是一個復雜的系統工程。
例如對於晶元面積大、良率高、封裝成本低的晶元,通常可以不進行wafer test,而晶元面積小、良率低、封裝成本高的晶元,最好將很多測試放在wafer test環節,及早發現不良品,避免不良品混入封裝環節,無謂地增加封裝成本。
IC檢測的設備,由於IC的生產量通常非常巨大,因此向萬用表、示波器一類手工測試一起一定是不能勝任的,目前的測試設備通常都是全自動化、多功能組合測量裝置,並由程序控制,你基本上可以認為這些測試設備就是一台測量專用工業機器人。
IC的測試是IC生產流程中一個非常重要的環節,在目前大多數的IC中,測試環節所佔成本常常要佔到總成本的1/4到一半。