❶ 什麼是cmp拋光
1. 定義CMP拋光：CMP拋光，即化學機械拋光，是精密加工領域的重要技術，尤其在集成電路製造和半導體材料加工中占據核心地位。
2. 工作原理：CMP拋光利用施加在材料表面的壓力和摩擦力，搭配特殊的化學溶液進行反應，共同實現材料的均勻去除和表面平滑。拋光液中的磨料、催化劑和化學溶劑等成分，協同作用於材料表面，達到拋光效果。
3. 技術優勢：CMP拋光以其高精度和高效率著稱。它能夠實現納米級的表面配模加工，達到極高的表面平整度。由於採用化學機械雙重作用，拋光過程迅速高效，大大提高了生產效率。同時，該技術對材料的損傷小，能有效保護材料的性能。
4. 應用范圍：CMP拋光在集成電路製造中，廣泛應用於矽片、銅互連等關鍵部件的加工。此外，它在半導體材料加工、光學元件製造以及精密機械零件加工等領域也有廣泛應用，對提高產品性能和可靠性具有重要意義。
總結而言，CMP拋光是一種結合化學反應和機械摩擦雙重作用的材料表面處理技術，以其高精度、高效率和對材料損傷小的特點，在集成電路製造、半導體材料加工等領域發揮著關鍵作用，支撐著現代精密製造的發展。
❷ 拋光有什麼作用
1、機械拋光
機械拋光是靠切削、材料表麵塑性變形去掉被拋光後的凸部而得到平滑面的拋光方法，一般使用油石條、羊毛輪、砂紙等，以手工操作為主，特殊零件如回轉體表面，可使用轉台等輔助工具，表面質量 要求高的可採用超精研拋的方法。超精研拋是採用特製的磨具，在含有磨料的研拋液中，緊壓在工件被加工表面上，作高速旋轉運動。利用該技術可以達到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各種拋光方法中最高的。光學鏡片模具常採用這種方法。
2、化學拋光
化學拋光是讓材料在化學介質中表面微觀凸出的部分較凹部分優先溶解，從而得到平滑面。這種方法的主要優點是不需復雜設備，可以拋光形狀復雜的工件，可以同時拋光很多工件，效率高。化學拋光的核心問題是拋光液的配製。化學拋光得到的表面粗糙度一般為數10μm。
3、電解拋光
電解拋光基本原理與化學拋光相同，即靠選擇性的溶解材料表面微小凸出部分，使表面光滑。與化學拋光相比，可以消除陰極反應的影響，效果較好。
4、 超聲波拋光
將工件放入磨料懸浮液中並一起置於超聲波場中，依靠超聲波的振盪作用，使磨料在工件表面磨削拋光。超聲波加工宏觀力小，不會引起工件變形，但工裝製作和安裝較困難。超聲波加工可以與化學或電化學方法結合。在溶液腐蝕、電解的基礎上，再施加超聲波振動攪拌溶液，使工件表面溶解產物脫離，表面附近的腐蝕或電解質均勻；超聲波在液體中的空化作用還能夠抑制腐蝕過程，利於表面光亮化。
5、流體拋光
流體拋光是依靠高速流動的液體及其攜帶的磨粒沖刷工件表面達到拋光的目的。常用方法有：磨料噴射加工、液體噴射加工、流體動力研磨等。流體動力研磨是由液壓驅動，使攜帶磨粒的液體介質高速往復流過工件表面。介質主要採用在較低壓力下流過性好的特殊化合物（聚合物狀物質）並摻上磨料製成，磨料可採用碳化硅粉末。
6、磁研磨拋光
磁研磨拋光是利用磁性磨料在磁場作用下形成磨料刷，對工件磨削加工。這種方法加工效率高，質量好，加工條件容易控制，工作條件好。採用合適的磨料，表面粗糙度可以達到Ra0.1μm。