半导体cvd设备是什么

A. 半导体设备有哪些种类

一、分立器件

1、 二极管

A、一般整流用

B、高速整流用：

①（Aast Recovery Diode:高速恢复二极管）

②HED（Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管）

③SBD（Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管）

C、定压二极管（齐纳二极管）

D、高频二极管

①变容二极管

②PIN二极管

③穿透二极管

④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管

2、 晶体管

①双极晶体管

②FET（Fidld Effect Transistor:场效应管）

Ⅰ、接合型FET

Ⅱ、MOSFET

③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)

3、 晶闸管

①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅

②GTO（Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管）

③LTT（Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管）

二、光电半导体

1、LED（Light Emitting Diode:发光二极管）

2、激光半导体

3、受光器件

①光电二极管（Photo Diode）/太阳能电池（Sola Cell）

②光电晶体管（Photo Transistor）

③CCD图像传感器（Charge Coupled Device:电荷耦合器）

④CMOS图像传感器（complementary Metal Oxide Semiconctor:互补型金属氧化膜半导体）

4、光耦(photo Relay)

①光继电器（photo Relay)

②光断路器（photo Interrupter）

5、光通讯用器件

三、逻辑IC

1、通用逻辑IC

2、微处理器（Micro Processor）

①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)

②RISC(Reced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)

3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)

4、AASIC（Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC）

①栅陈列（Gate-Array Device）

②SC(Standard Cell:标准器件)

③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)

5、MPR（Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI）

6、系统LSI（System LSI）

四、模拟IC（以及模拟数字混成IC）

1、电源用IC

2、运算放大器（OP具Amp）

3、AD、DA转换器（AD DA Converter）

4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)

五、存储器

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)

2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)

3、快闪式存储器(Flash Memory)

4、掩模ROM(mask Memory)

5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)

6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)

B. pvd和cvd各是什么意思

PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以是某些有特殊性能（强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等）的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能！ PVD基本方法：真空蒸发、溅射 、离子镀（空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀）
PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相沉积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。
CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。

C. 半导体CVD Ultima机台和Speed机台在工艺原理上有什么区别最好能详细点。

Ultima和Speed都是基于HDP工艺基础上的机台，原理都是Dep和sputer同时进行的工艺，只是基于不同机台不同parts的叫法不同而已罢了。

D. 半导体行业用的VDB是什么设备

半导体制程的每一步基本都要用到气体, 气体在进入机台前都要经过减压, 而且一个内机台几路甚至是十容几路气体. 往前端, 从气源到机台这一部分, 叫hook up, 二次配管, 里面也有很多. 再往前, 特气有气柜, 气柜里有减压器. 大宗气体有气站, 气站上也有。

E. 半导体PCD设备是什么

半导体有很多PCD, 例如：实验室的pressure cook devices, 是压力蒸馏器具。

F. 什么是半导体设备

半导体设备即为利用半导体元件制造的电气设备。

半导体，指常温下导电性能介于导版体与绝缘体之间的材料权。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

半导体设备有激光打标机，激光喷码机，包装机，纯水机等等

半导体材料分类半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类：

1. 化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。

2. 无定形半导体材料 用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料，分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。

3. 元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。

4. 有机增导体材料已知的有机半导体材料有几十种，包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用 。

G. PVD和CVD分别是什么

PVD(Physical Vapor Deposition)---物理气相沉积：指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。

CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

PVD技术出现于，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视，人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。

与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层；PVD工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。

当前PVD涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、车刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。

(7)半导体cvd设备是什么扩展阅读

CVD例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。

其技术特征在于：

⑴高熔点物质能够在低温下合成；

⑵析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；

⑶不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。

H. CVD设备用在哪些行业

追溯玻璃纤维的历史，已知超过 3000 年以上。 自古代埃及遗迹裏发现将玻璃延伸细化之玻纤作为工艺品开始，古代人类已将玻璃溶解，并延伸成纤维状。 自古代埃及遗迹里发现将玻璃延伸细化之玻纤作为工艺品开始，古代人类已将玻璃溶解，并延伸成纤维状。 当时，其用途局限於工艺品，而工业化产业用途则是近数十年（不到百年）的事。 当时，其用途局限于工艺品，而工业化产业用途则是近数十年（不到百年）的事。 第一次世界大战时，德国首先将玻璃短纤维代替石绵作为断热材，开启了玻璃纤维工业化的时代。 第一次世界大战时，德国首先将玻璃短纤维代替石绵作为断热材，开启了玻璃纤维工业化的时代。 尔后，进入 1930 年代，则有美国 Owens Illinois Glass 公司与日本日东纺绩公司开始生产玻璃长纤维。 尔后，进入 1930 年代，则有美国 Owens Illinois Glass 公司与日本日东纺绩公司开始生产玻璃长纤维。 至第二次世界大战时，美国军事研究单位发明了将玻璃纤维与不饱和聚酯树脂组合成 FRP （ Fiber Reinforced Plastics ）复合材。 至第二次世界大战时，美国军事研究单位发明了将玻璃纤维与不饱和聚酯树脂组合成 FRP （ Fiber Reinforced Plastics ）复合材。 因此，复合材料时代之来临与玻璃纤维工业之启蒙发展有密切之关系。 因此，复合材料时代之来临与玻璃纤维工业之启蒙发展有密切之关系。 当然，其他多种材料如同玻璃纤维亦因战争之际会，在非预期状况下应酝而生。 当然，其他多种材料如同玻璃纤维亦因战争之际会，在非预期状况下应酝而生。 玻纤之种类与组成特性 玻纤之种类与组成特性 2.1 玻纤之分类玻纤依其制造方法、制品形态与主要用途大致可分为玻璃长纤维，玻璃短纤维与光学纤维三种，如表 1 所示。 2.1 玻纤之分类玻纤依其制造方法、制品形态与主要用途大致可分为玻璃长纤维，玻璃短纤维与光学纤维三种，如表 1 所示。 长纤维利用熔融纺丝法，主要使用在塑胶强化材与水泥强化材上；短纤维则利用火焰法与离心法制造，主要使用在断热保温材、吸音材与过滤网上；光纤维则利用棒状延伸法制造成长丝，使用在光传输纤维上。 长纤维利用熔融纺丝法，主要使用在塑胶强化材与水泥强化材上；短纤维则利用火焰法与离心法制造，主要使用在断热保温材、吸音材与过滤网上；光纤维则利用棒状延伸法制造成长丝，使用在光传输纤维上。 玻璃长纤维之直径约在数μ m 至 20 余μ m ，必须保有优良之纤维强度与特殊之表面处理性，主要使用於 FRP 与 Cement 之强化材；短纤维之直径大部份在数μ m 以下，呈棉状形态，主要使用於断热、吸音材，与建筑、设备用之材料，分别为玻璃长纤维与短纤维之电子显微镜的外观。 玻璃长纤维之直径约在数μ m 至 20 余μ m ，必须保有优良之纤维强度与特殊之表面处理性，主要使用于 FRP 与 Cement 之强化材；短纤维之直径大部份在数μ m 以下，呈棉状形态，主要使用于断热、吸音材，与建筑、设备用之材料，分别为玻璃长纤维与短纤维之电子显微镜的外观。 另外，光学纤维则是利用如 CVD 等高纯度之方法制作玻璃棒母材，再将之延伸成直径百余μ m 之光纤长丝，并有光学传输特性。 另外，光学纤维则是利用如 CVD 等高纯度之方法制作玻璃棒母材，再将之延伸成直径百余μ m 之光纤长丝，并有光学传输特性。 由於光纤另外独立分野说明，故本文不予赘述。 由于光纤另外独立分野说明，故本文不予赘述。 2.2 玻纤之组成特性目前日本市贩代表之玻纤组成，如表 2 所示，E玻璃乃原是为电气绝缘用而开发之产品，由於其组成几乎不含一价之碱性离子，故称之为无碱玻璃。 2.2 玻纤之组成特性目前日本市贩代表之玻纤组成，如表 2 所示，E玻璃乃原是为电气绝缘用而开发之产品，由于其组成几乎不含一价之碱性离子，故称之为无碱玻璃。 E玻纤具有优良之表面加工特性，可用於塑胶强化材，且占了玻璃长纤维产量之 90 ％以上，似乎是玻璃纤维之代名词。 E玻纤具有优良之表面加工特性，可用于塑胶强化材，且占了玻璃长纤维产量之 90 ％以上，似乎是玻璃纤维之代名词。 S玻璃较E玻璃之引张强度与弹性率高约 20 ％，使用在军事用途与休闲用途之强化材为主，一般称之为高强力玻纤。 S玻璃较E玻璃之引张强度与弹性率高约 20 ％，使用在军事用途与休闲用途之强化材为主，一般称之为高强力玻纤。 AR 玻璃之组成中含有大量的 Zr2O ，保有耐碱的特性，可使用在水泥强化材，称之为耐碱玻纤。 AR 玻璃之组成中含有大量的 Zr2O ，保有耐碱的特性，可使用在水泥强化材，称之为耐碱玻纤。 D玻璃属低诱电率玻纤，其组成含 B2O3 较多，可适用於超级电脑、高速运算之印刷电路版或整流罩（ Radome ） D玻璃属低诱电率玻纤，其组成含 B2O3 较多，可适用于超级电脑、高速运算之印刷电路版或整流罩（ Radome ） 。 C玻璃含 CaO 较多，属於耐酸玻纤，适用於电池分离片。 C玻璃含 CaO 较多，属于耐酸玻纤，适用于电池分离片。 A玻璃与无碱玻璃不同之处乃系含有一价之碱离子，主要用於玻璃短纤维复合材料用。 A玻璃与无碱玻璃不同之处乃系含有一价之碱离子，主要用于玻璃短纤维复合材料用。 另，欧美或台湾厂商亦有研制新组合成份，以应需求。 另，欧美或台湾厂商亦有研制新组合成份，以应需求。 2.3 玻纤之产品与需求特性玻纤之产品依需求而异，其形态有玻璃纱（ Glass Yarn ） 2.3 玻纤之产品与需求特性玻纤之产品依需求而异，其形态有玻璃纱（ Glass Yarn ） ，玻璃布（ Glass Cloth ） ，玻璃布（ Glass Cloth ） ，纱束（ Roving ） ，纱束（ Roving ） ，编纱束（ Woven Roving ），切股（ Chopped Strand ），切股毡（ Chopped Strand Mat ），表面席（ Fiberglass Tissue ），连续毡（ Continuous Strand Mat ）或磨碎纤维（ Milled Fiber ）等。 ，编纱束（ Woven Roving ），切股（ Chopped Strand ），切股毡（ Chopped Strand Mat ），表面席（ Fiberglass Tissue ），连续毡（ Continuous Strand Mat ）或磨碎纤维（ Milled Fiber ）等。 依应用不同有前述之无碱玻璃、耐酸／碱玻璃、低诱电率玻璃与高强力玻璃，其主要用途为玻纤强化塑胶（ FRP ）与印刷电路版 PCB （ Printed Circuit Board ）。 依应用不同有前述之无碱玻璃、耐酸／碱玻璃、低诱电率玻璃与高强力玻璃，其主要用途为玻纤强化塑胶（ FRP ）与印刷电路版 PCB （ Printed Circuit Board ）。 FRP 由强化纤维、基材（ Matrix ）与界面（ Interface ）特性所组成，其中强化纤维若是玻璃纤维时，则必须考虑玻璃纤维之物化性与特殊需求特性，并包含其纤维直径、长度、用量、方向性与表面改质处理，裨以提升复合材之强度、刚性、抗疲劳、抗潜变与使用寿命，可承受主要负荷，并限制微裂纹延伸与加强可靠度。 FRP 由强化纤维、基材（ Matrix ）与界面（ Interface ）特性所组成，其中强化纤维若是玻璃纤维时，则必须考虑玻璃纤维之物化性与特殊需求特性，并包含其纤维直径、长度、用量、方向性与表面改质处理，裨以提升复合材之强度、刚性、抗疲劳、抗潜变与使用寿命，可承受主要负荷，并限制微裂纹延伸与加强可靠度。 若选用玻璃纤维为电子级用印刷电路版（ PCB ）强化材料时，则须慎选其热传导性，抗张强度，尺寸安定性，防火性，介电强度，耐腐蚀性，低吸水性，与低成本等因素特性。 若选用玻璃纤维为电子级用印刷电路版（ PCB ）强化材料时，则须慎选其热传导性，抗张强度，尺寸安定性，防火性，介电强度，耐腐蚀性，低吸水性，与低成本等因素特性。

I. CVD是什么

Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。有许多化合物在半导体运用上比铜或者铝的性能更好，因而开发出来的一种薄膜沉积方式。

J. 半导体生产过程中的cvd过程是什么意思

看你需要做啥样的半导体 气体只是原料来源 是可选的
比如四氢化硅啊
有时候还需要氢气用于还原反应啊