⑴ DDR内存是什么意思高手指教
DDR内存识别DDR内存顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为。由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。
目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度，这就要求用户学会怎样识别假冒内存的规格和内存芯片编号。一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面就举例说明内存编号上代表的信息。
二、内存编号
现代DDR内存
随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。
1: HY代表是现代的产品
2：内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3：工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4：芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5: 代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6：BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7：I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8：芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9：代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10：内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11：工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L：DDR200、H： DDR266B、 K：DDR266A
三星DDR内存
三星的DDR内存目前在市场上的销量算是比较大的，搞清楚内存颗粒上的编号的含义，对于用户的选购是绝对有好处的，下面我们就来看看这些数字代表什么意思。
1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的
2、内存芯片类型：4表示DDR SDRAM
3、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
4、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V
5、内存密度组成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit
6、芯片容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]
7、表示内存排数：3：4排、4：8排
8、代表接口电压：0：混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V)
9、表示封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)
10、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)
Micron DDR内存
Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
1、MT代表Micron的产品
2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus
3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS
5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）
6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
8、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA
9、代表速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5）
10、代表功耗：L=低耗，空白=普通
TOSHIBA DDR内存
1、TC代表是东芝的产品
2、59代表SDRAM代表是SDRAM
3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
7、代表封装：FT为TSO II封装
8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通
9:、代表速度：75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3
宇瞻DDR内存
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
5、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
6、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
7、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz