阀门REF代表什么

Ⅰ DDR内存是什么意思高手指教

DDR内存识别DDR内存顾名思义就是双倍速率同步动态随机存储器，通常简称其为。由于它在时钟触发沿的上、下沿都能够进行数据传输，所以在相同的总线频率下DDR内存具有更高的数据带宽。DDR与SDRAM在外观上没什么太大的差别，二者具有相同的长度与同样的管脚距离。但是，DDR内存具有184只管脚，比传统的SDRAM多16只，这些管脚主要包含了新的阀门控制、电源、时钟、和接地等信号接口。

目前市场上充斥着很多假冒名牌内存，以低容量内存冒充高容量，以低速内存冒充高速度，这就要求用户学会怎样识别假冒内存的规格和内存芯片编号。一般方法是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，由于SPD芯片内的信息是内存的技术规范，因此一般用户在柜台购买内存时是看不到的，所以用户只能依靠内存颗粒上的编号来识别。由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面就举例说明内存编号上代表的信息。

二、内存编号

现代DDR内存

随着各大内存和主板厂商的跟近，使得我们有理由相信DDR的时代终于来临了。既然DDR内存已经下滑到传统的SDRAM价格水平，支持DDR的主板芯片组技术日益成熟，那我们就没有理由去买一台配备SDRAM的ATHLON计算机。双倍速传输速率的SDRAM在Geforce2、Geforce3、RADEON等显卡上应用也已经快2年了，并得到了大家的认可。HY作为SDRAM的颗粒生产大厂自然早已加入了DDR的生产行列，但是我们对其颗粒编号的认识还是很模糊的，下面我就来给大家介绍介绍HY颗粒编号的秘密。

1: HY代表是现代的产品

2：内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3：工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4：芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5: 代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6：BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7：I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8：芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9：代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10：内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11：工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L：DDR200、H： DDR266B、 K：DDR266A

三星DDR内存

三星的DDR内存目前在市场上的销量算是比较大的，搞清楚内存颗粒上的编号的含义，对于用户的选购是绝对有好处的，下面我们就来看看这些数字代表什么意思。

1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的

2、内存芯片类型：4表示DDR SDRAM

3、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

4、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V

5、内存密度组成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit

6、芯片容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs]

7、表示内存排数：3：4排、4：8排

8、代表接口电压：0：混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V)

9、表示封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP)

10、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps)

Micron DDR内存

Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

1、MT代表Micron的产品

2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus

3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS

5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）

6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

8、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA

9、代表速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5）

10、代表功耗：L=低耗，空白=普通

TOSHIBA DDR内存

1、TC代表是东芝的产品

2、59代表SDRAM代表是SDRAM

3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM

4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb

5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新

7、代表封装：FT为TSO II封装

8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

9:、代表速度：75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3

宇瞻DDR内存

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM

5、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

6、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

7、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

Ⅱ 氦气适用什么球阀

在1960年代，当时人们正开始探索深海的奥妙，而饱和潜水的新技术，足以让人们在深海工作更久，同时减少并发症的发生。另外，改用不同的混合气体以供呼吸，可免除空气的毒性影响。因为一般空气由约80%的雀辩氮气和20%的氧气组成，而采用此一比例的压缩空气，容易使人们在60米之下的深海，产生深海眩晕的严重麻醉作用与产生痉挛。因此，采用不同份量的氢、氧、氦及氮气组合而成的混合气体，可避免在超过150米水深长时间呼吸氦氧潜水而引发高压神经综合症。

所以，下次购买潜水腕表的时候，可以留意看一眼，如果手表的左侧面有排气阀的装置的话，不管是自动的还是手动的。就说明这款手表的防水性能是非常好的，按照厂家标准是能够防水500M以上的。当然，对于这个功能可能一般人都不太能用得上，不过知道这点小常识总归没错，学习更多腕表知识和玩表技巧，可以看下《邹三山的玩表秘术》这本电子书。

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Ⅲ 消防流量开关接线图是什么样的

消防流量开关接线图如下：

流量值设置，但切记流量开关的上限值不要设置：流量开关最小值的设定（一般流量开关数字表下限取不低于0.15 MPa，基本符合消防相关规定）是根据最不利点处消火栓栓口及消防软管卷盘水枪喷嘴处的静压力计算，（此处所讲述的计算公式很复杂，一般不必深入探究。）。

线路检查：仔细查看启泵信号线和DC24V是否正常，不正常的情况下要调节正常。

测试：打开消火栓放水试验。管道压力到达流量开关设置下限压力时，应自动启动消火栓泵，手动停泵。

(3)阀门REF代表什么扩展阅读

特点

1、当线路存在电器火灾隐患时（接触不良，线路破损，过热等）能及时切断电源。

2、采用世界先进元器件及智能分析技术，集成了防火，漏电过载，短路保护功能。

3、外型尺寸，电流等级与相同型号规格的普通漏电断路器相同，可直接替换使用。

4、通过国家消防电子产品质量监督检验中心检验。

5、执行标准：GB 10963.1，GB 16917.1。

6、IEC60898-1，IEC61008-1。

保护功能

1、漏电保护：当出现人身触电、电器设备漏电或接地异常时，25毫秒内自动切断电源，永无触电之危险。

2、过流保护：电路中出现大电流时，自动切断电源，保护用电设备。

3、短路保护：当电路中出现短路故障时，自动切断电源，保护用电设备。

4、过压保护：当电源电压超过设定值时，自动切断电源，保护用电设备。

5、欠压保护：当电源电压低于设定值时，自动切断电源，保护用电设备。

6、浪涌保护：在遭遇浪涌或雷击时，瞬间吸收浪涌电流或雷击电流，保护用电设备。