1. 请问 读取芯片数据的仪器叫什么
不知你是读取芯片的硬件数据还是软件数据，如果是硬件数据那就有很多了如最常用的万用表，示波器，晶休管I/V曲线测试仪等。若是读取芯片内的程序则用编程器读取后再进行反汇编，但如果有加密的话成功的机会很小
2. 集成电路的检测都会使用到哪些检测设备
集成电路的检测（IC test）分为wafer test（晶圆检测）、chip test（芯片检测）和package test（封装检测）。
wafer test是在晶圆从晶圆厂生产出来后，切割减薄之前的检测。其设备通常是测试厂商自行开发制造或定制的，一般是将晶圆放在测试平台上，用探针探到芯片中事先确定的检测点，探针上可以通过直流电流和交流信号，可以对其进行各种电气参数检测。
对于光学IC，还需要对其进行给定光照条件下的电气性能检测。
wefer test主要设备：探针平台。
wefer test辅助设备：无尘室及其全套设备。
wefer test是效率最高的测试，因为一个晶圆上常常有几百个到几千个甚至上万个芯片，而这所有芯片可以在测试平台上一次性检测。
chip test是在晶圆经过切割、减薄工序，成为一片片独立的chip之后的检测。其设备通常是测试厂商自行开发制造或定制的，一般是将晶圆放在测试平台上，用探针探到芯片中事先确定的检测点，探针上可以通过直流电流和交流信号，可以对其进行各种电气参数检测。chip test和wafer test设备最主要的区别是因为被测目标形状大小不同因而夹具不同。
对于光学IC，还需要对其进行给定光照条件下的电气性能检测。
chip test主要设备：探针平台（包括夹持不同规格chip的夹具）
chip test辅助设备：无尘室及其全套设备。
chip test能检测的范围和wafer test是差不多的，由于已经经过了切割、减薄工序，还可以将切割、减薄工序中损坏的不良品挑出来。但chip test效率比wafer test要低不少。
package test是在芯片封装成成品之后进行的检测。由于芯片已经封装，所以不再需要无尘室环境，测试要求的条件大大降低。
一般package test的设备也是各个厂商自己开发或定制的，通常包含测试各种电子或光学参数的传感器，但通常不使用探针探入芯片内部（多数芯片封装后也无法探入），而是直接从管脚连线进行测试。
由于package test无法使用探针测试芯片内部，因此其测试范围受到限制，有很多指标无法在这一环节进行测试。但package test是最终产品的检测，因此其检测合格即为最终合格产品。
IC的测试是一个相当复杂的系统工程，无法简单地告诉你怎样判定是合格还是不合格。
一般说来，是根据设计要求进行测试，不符合设计要求的就是不合格。而设计要求，因产品不同而各不相同，有的IC需要检测大量的参数，有的则只需要检测很少的参数。
事实上，一个具体的IC，并不一定要经历上面提到的全部测试，而经历多道测试工序的IC，具体在哪个工序测试哪些参数，也是有很多种变化的，这是一个复杂的系统工程。
例如对于芯片面积大、良率高、封装成本低的芯片，通常可以不进行wafer test，而芯片面积小、良率低、封装成本高的芯片，最好将很多测试放在wafer test环节，及早发现不良品，避免不良品混入封装环节，无谓地增加封装成本。
IC检测的设备，由于IC的生产量通常非常巨大，因此向万用表、示波器一类手工测试一起一定是不能胜任的，目前的测试设备通常都是全自动化、多功能组合测量装置，并由程序控制，你基本上可以认为这些测试设备就是一台测量专用工业机器人。
IC的测试是IC生产流程中一个非常重要的环节，在目前大多数的IC中，测试环节所占成本常常要占到总成本的1/4到一半。
3. 芯片分析仪器及手段有哪些
芯片分析仪器有： 1 C-SAM（超声波扫描显微镜)，无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国 2 X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），德国Feinfocus 微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析 ；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷.参数：标准检测分辨率＜500纳米 ； 几何放大倍数: 2000 倍 最大放大倍数: 10000倍 ；辐射小: 每小时低于1 μSv ； 电压: 160 KV, 开放式射线管设计 防碰撞设计；BGA和SMT（QFP）自动分析软件，空隙计算软件，通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。 Feinfocus微焦点X射线（德国） Y.COUGAR F/A系列可选配样品旋转360度和倾斜60度装置。 Y.COUGAR SMT 系列配置140度倾斜轴样品，选配360度旋转台 3 SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）, 日本电子 4 EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点，LC要借助探针台，示波器） 5 FIB做一些电路修改； 6 Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试，ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程，取die,decap（开封，开帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去层,染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。 除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。 FA步骤: 2 非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等； 3 电测：主要工具，万用表，示波器，sony tek370a，现在好象是370b了； 4 破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机 半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析 C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。 微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析 ；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷. 参数：标准检测分辨率＜500纳米 ； 几何放大倍数: 2000 倍 最大放大倍数: 10000倍 ；辐射小: 每小时低于1 μSv ； 电压: 160 KV, 开放式射线管设计防碰撞设计；BGA和SMT（QFP）自动分析软件，空隙计算软件，通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。芯片开封机DECAP主要用于芯片开封验证SAM，XRAY的结果。